公开(公告)号：CN112714692B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201980060785.2

申请日：2019-09-13

Applicant: ams传感器新加坡私人有限公司

Inventor： 尼古拉.斯普林 ,  杰斯.盖格 ,  D.摩根

IPC: B29D11/00 ,  F21V8/00

Abstract: 制造光导元件包括使用复制技术形成光导元件的第一部分(104)，以及使用光刻技术形成光导元件的第二部分(106)。使用复制可以促进形成更复杂形状的光学元件作为光导元件的一部分。复制工艺有时会导致形成“庭院”，或过量的复制材料，如果不将其消除或平滑，则其可能会导致光泄漏。在一些情况下，庭院部分的至少一部分嵌入光导元件的第二部分内，从而导致庭院部分的平滑。

公开(公告)号：CN112714692A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980060785.2

申请日：2019-09-13

Applicant: ams传感器新加坡私人有限公司

Inventor： 尼古拉.斯普林 ,  杰斯.盖格 ,  D.摩根

IPC: B29D11/00 ,  F21V8/00

Abstract: 制造光导元件包括使用复制技术形成光导元件的第一部分(104)，以及使用光刻技术形成光导元件的第二部分(106)。使用复制可以促进形成更复杂形状的光学元件作为光导元件的一部分。复制工艺有时会导致形成“庭院”，或过量的复制材料，如果不将其消除或平滑，则其可能会导致光泄漏。在一些情况下，庭院部分的至少一部分嵌入光导元件的第二部分内，从而导致庭院部分的平滑。