公开(公告)号：CN108291947A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680067969.8

申请日：2016-10-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 浅妻裕己 ,  田边圭 ,  海野晶裕 ,  松田笃史 ,  高桥将司

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02

Abstract: 本发明的磁场传感器具备：传感器芯片(20)，具有形成了磁检测元件(MR3)的元件形成面(20S)；第1磁性体(31)，被配置于元件形成面(20S)上并且以元件形成面(20S)为基准的高度为H1；第2磁性体(32)，从所述磁检测元件(MR3)来看，被设置于与第1磁性体(31)相反侧并且具有低于高度H1的高度H2。根据本发明，因为第2磁性体(32)的高度H2低于第1磁性体(31)，所以既能够由第2磁性体(32)来屏蔽干扰磁场，又能够减少被吸引到第2磁性体(32)的检测磁场 由此，能够既确保高检测灵敏度，又减少干扰磁场的影响。

公开(公告)号：CN108291947B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201680067969.8

申请日：2016-10-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 浅妻裕己 ,  田边圭 ,  海野晶裕 ,  松田笃史 ,  高桥将司

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02

Abstract: 本发明的磁场传感器具备：传感器芯片(20)，具有形成了磁检测元件(MR3)的元件形成面(20S)；第1磁性体(31)，被配置于元件形成面(20S)上并且以元件形成面(20S)为基准的高度为H1；第2磁性体(32)，从所述磁检测元件(MR3)来看，被设置于与第1磁性体(31)相反侧并且具有低于高度H1的高度H2。根据本发明，因为第2磁性体(32)的高度H2低于第1磁性体(31)，所以既能够由第2磁性体(32)来屏蔽干扰磁场，又能够减少被吸引到第2磁性体(32)的检测磁场由此，能够既确保高检测灵敏度，又减少干扰磁场的影响。