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公开(公告)号：CN105932385B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610109433.X
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 提供可以确保作为目的的高频特性且可以防止装配时的基板的破损的非可逆电路元件。非可逆电路元件具备包含具有圆形面(SA)的磁性体基板(14A)以及具有圆环面(SB)的电介质环(14B)的基板(14)、中心导体(15)、将磁场施加于中心导体(15)的永久磁铁(12,18)。中心导体(15)包含位于连结圆形面(SA)的中心和圆环面(SB)的外周的直线上的主导体部(41～43)、宽度细于主导体部(41～43)的突起部(61～66,71～76)，突起部(61～66,71～76)的至少一部分位于圆环面(SB)上。根据本发明，因为宽度小的突起部(61～66,71～76)位于圆环面(SB)上，所以能够抑制所覆盖的面积且能够由中心导体(15)宽范围而且高密度地覆盖电介质环(14B)。由此，能够防止装配时的基板的破损。
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公开(公告)号：CN105932384B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610108582.4
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 提供即使在中心导体的搭载位置偏移的情况下也能够抑制高频特性的变化的非可逆电路元件，具备：基板(14)，包含具有圆形面(SA)的磁性体基板(14A)及具有圆环面(SB)的电介质环(14B)；中心导体(15)，配置于基板(14)；永久磁铁(12,18)，将磁场施加于中心导体(15)。中心导体(15)包含延伸成放射状的主导体部(41～43)及分支导体部(51～53)。分支导体部(51～53)包含配置于圆形面(SA)上的宽幅部分(W)、以宽度窄于宽幅部分(W)并横跨圆形面(SA)与圆环面(SB)的边界的方式配置的窄幅部分(N)。根据本发明，由窄幅部分(N)横跨圆形面(SA)与圆环面(SB)的边界，所以能够抑制中心导体(15)的搭载位置偏移的情况下的高频特性的变化。
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公开(公告)号：CN105932385A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610109433.X
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 提供可以确保作为目的的高频特性且可以防止装配时的基板的破损的非可逆电路元件。非可逆电路元件具备包含具有圆形面(SA)的磁性体基板(14A)以及具有圆环面(SB)的电介质环(14B)的基板(14)、中心导体(15)、将磁场施加于中心导体(15)的永久磁铁(12,18)。中心导体(15)包含位于连结圆形面(SA)的中心和圆环面(SB)的外周的直线上的主导体部(41～43)、宽度细于主导体部(41～43)的突起部(61～66,71～76)，突起部(61～66,71～76)的至少一部分位于圆环面(SB)上。根据本发明，因为宽度小的突起部(61～66,71～76)位于圆环面(SB)上，所以能够抑制所覆盖的面积且能够由中心导体(15)宽范围而且高密度地覆盖电介质环(14B)。由此，能够防止装配时的基板的破损。
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公开(公告)号：CN105932384A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610108582.4
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 提供即使在中心导体的搭载位置偏移的情况下也能够抑制高频特性的变化的非可逆电路元件，具备：基板(14)，包含具有圆形面(SA)的磁性体基板(14A)及具有圆环面(SB)的电介质环(14B)；中心导体(15)，配置于基板(14)；永久磁铁(12,18)，将磁场施加于中心导体(15)。中心导体(15)包含延伸成放射状的主导体部(41～43)及分支导体部(51～53)。分支导体部(51～53)包含配置于圆形面(SA)上的宽幅部分(W)、以宽度窄于宽幅部分(W)并横跨圆形面(SA)与圆环面(SB)的边界的方式配置的窄幅部分(N)。根据本发明，由窄幅部分(N)横跨圆形面(SA)与圆环面(SB)的边界，所以能够抑制中心导体(15)的搭载位置偏移的情况下的高频特性的变化。
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