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公开(公告)号：CN114628108B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202111394433.6
申请日：2021-11-23
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 在线圈部件中，最外壁及最内壁的壁整体的最大的基准面高度与线圈的卷绕部的基准面高度相同，即为线圈的卷绕部的基准面高度以下。而且，在最外壁及最内壁中的任一个，第二侧面的基准面高度也比线圈的卷绕部的基准面高度低。在该情况下，在最外壁及最内壁的上表面附近，抑制朝向基板的主面侧的磁通被最外壁及最内壁阻碍，改善磁通环绕。由此，实现线圈部件的线圈特性的提高。
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公开(公告)号：CN114628108A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111394433.6
申请日：2021-11-23
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 在线圈部件中，最外壁及最内壁的壁整体的最大的基准面高度与线圈的卷绕部的基准面高度相同，即为线圈的卷绕部的基准面高度以下。而且，在最外壁及最内壁中的任一个，第二侧面的基准面高度也比线圈的卷绕部的基准面高度低。在该情况下，在最外壁及最内壁的上表面附近，抑制朝向基板的主面侧的磁通被最外壁及最内壁阻碍，改善磁通环绕。由此，实现线圈部件的线圈特性的提高。
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公开(公告)号：CN112820493B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011259812.X
申请日：2020-11-12
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 在线圈部件(1)中，树脂壁(18)的底座部(18a)的高度(h1)相当于台阶部(18c)的高度位置。另外，种子部(14a)的高度(h2)相当于使线圈(13)的卷绕部(14)进行镀覆生长时的镀覆开始位置。通过使底座部(18a)的高度(h1)和种子部(14a)的高度(h2)满足0.3≤h1/h2≤10，设计成镀覆开始位置和台阶部(18c)接近。因此，线圈部件(1)虽然是树脂壁(18)具有台阶部(18c)的结构，但是该台阶部(18c)内能够被线圈导体充分地填满，因此，能够抑制特性的降低。
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公开(公告)号：CN112820493A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011259812.X
申请日：2020-11-12
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 在线圈部件(1)中，树脂壁(18)的底座部(18a)的高度(h1)相当于台阶部(18c)的高度位置。另外，种子部(14a)的高度(h2)相当于使线圈(13)的卷绕部(14)进行镀覆生长时的镀覆开始位置。通过使底座部(18a)的高度(h1)和种子部(14a)的高度(h2)满足0.3≤h1/h2≤10，设计成镀覆开始位置和台阶部(18c)接近。因此，线圈部件(1)虽然是树脂壁(18)具有台阶部(18c)的结构，但是该台阶部(18c)内能够被线圈导体充分地填满，因此，能够抑制特性的降低。
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