R-T-B系永久磁铁
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118202429A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202280073481.1

    申请日:2022-11-02

    Abstract: 一种R‑T‑B系永久磁铁,其含有Al、Ga及Zr。R的含量为30.00质量%以上33.00质量%以下,B的含量为0.70质量%以上0.88质量%以下,Al的含量大于0质量%且为0.07质量%以下,Ga的含量为0.40质量%以上1.00质量%以下,Zr的含量大于0.10质量%且为1.60质量%以下。

    R-T-B系永久磁铁及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118866495A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410498331.6

    申请日:2024-04-24

    Abstract: 一种R‑T‑B系永久磁铁,其含有C和Zr。R‑T‑B系永久磁铁包含主相颗粒及晶界。在R‑T‑B系永久磁铁的截面中,主相颗粒内的Zr浓度的分布为特定范围内的分布。在将晶界中所含的ZrB2的合计面积设为S(B),且将晶界中所含的ZrC的合计面积设为S(C)时,S(C)/(S(B)+S(C))为98.0%以上。在将R‑T‑B系永久磁铁设为100质量%时,Zr的含量为0.60质量%以上1.60质量%以下,B的含量超过0质量%且为0.85质量%以下,C的含量超过0质量%且为0.260质量%以下。

    R-T-B系永久磁铁
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111710489B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202010169389.8

    申请日:2020-03-12

    Inventor: 工藤光

    Abstract: 本发明的永久磁铁含有Nd、Fe、B和Ga,作为晶界相含有第一富T相(1)、第二富T相(3)和贫T相(5),第一富T相(1)满足1.7≤[T]/[R]≤3.0,第二富T相(3)满足0.8≤[T]/[R]≤1.5,贫T相(5)满足0.0≤[T]/[R]≤0.6,并且满足下述式4和式5。[T]为Fe和Co的浓度(原子%),[R]为Nd、Pr、Tb和Dy的浓度(原子%),S1为在永久磁铁的截面露出的第一富T相(1)的面积,S2为在上述截面露出的第二富T相(3)的面积,S3为在上述截面露出的贫T相(5)的面积。0.30≤(S1+S2)/(S1+S2+S3)≤0.80(4);0.20≤S2/(S1+S2)≤0.80(5)。

    R-T-B系永久磁铁
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111710489A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010169389.8

    申请日:2020-03-12

    Inventor: 工藤光

    Abstract: 本发明的永久磁铁含有Nd、Fe、B和Ga,作为晶界相含有第一富T相(1)、第二富T相(3)和贫T相(5),第一富T相(1)满足1.7≤[T]/[R]≤3.0,第二富T相(3)满足0.8≤[T]/[R]≤1.5,贫T相(5)满足0.0≤[T]/[R]≤0.6,并且满足下述式4和式5。[T]为Fe和Co的浓度(原子%),[R]为Nd、Pr、Tb和Dy的浓度(原子%),S1为在永久磁铁的截面露出的第一富T相(1)的面积,S2为在上述截面露出的第二富T相(3)的面积,S3为在上述截面露出的贫T相(5)的面积。0.30≤(S1+S2)/(S1+S2+S3)≤0.80 (4);0.20≤S2/(S1+S2)≤0.80 (5)。

    R-T-B系烧结磁铁
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110299237A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910213095.8

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 烧结磁铁含有稀土元素R(例如Nd及Pr)、过渡金属元素T(例如Fe及Co)、B、Cu及Ga,烧结磁铁具备:多个主相颗粒(R2T14B的结晶颗粒)、和被三个以上的主相颗粒包围的多个晶界多重点,多个晶界多重点被分类为富过渡金属相(例如R6T13Ga)及富R相,富R相被分类为贫Cu相及富Cu相,在烧结磁铁的截面中满足下式1及2。N1为富过渡金属相的个数,N2为贫Cu相的个数,N3为富Cu相的个数。0.30≤N1/(N1+N2+N3)≤0.60……(1)0.03≤N3/N2≤0.20……(2)。

    R-T-B系永久磁铁
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116648522A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202180082701.2

    申请日:2021-11-10

    Abstract: 得到含有Ce的低成本的稀土类磁体,其特征在于:HcJ高。R‑T‑B系永久磁铁包含由R2T14B化合物(R为稀土元素,T为过渡金属元素,B为硼)构成的主相颗粒和晶界。R含有Ce。晶界包含与3个以上的主相颗粒相邻的多颗粒晶界。多颗粒晶界包含富R相,在富R相中包含板状或针状的R‑T析出物。

    R-T-B系永久磁铁
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116600916A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202180082842.4

    申请日:2021-11-10

    Abstract: 本发明的目的在于得到含有Ce的低成本的稀土磁铁,该稀土磁铁中,残留磁通密度(Br)、矫顽力(HcJ)和矩形比(Hk/HcJ)高、且耐腐蚀性高。本发明的解决手段为,提供一种R‑T‑B系永久磁铁,其含有R(稀土元素)、T(Fe和Co)、B(硼)、以及选自Al、Cu、Ga和Zr中的1种以上。R含有Ce。R的合计含量为31.3质量%以上且34.0质量%以下,Co的含量为1.85质量%以上且3.00质量%以下,B的含量为0.80质量%以上且0.90质量%以下,Al的含量为0.03质量%以上且0.90质量%以下,Cu的含量为0质量%以上且0.25质量%以下,Ga的含量为0质量%以上且0.10质量%以下,Zr的含量为0质量%以上且0.60质量%以下,Fe的含量为实际上的剩余部分。Ce相对于R的含量为15质量%以上且25质量%以下。

    R-T-B系永久磁铁
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116568840A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202180082790.0

    申请日:2021-11-10

    Abstract: 本发明的课题在于得到一种含有Ce的低成本并且HcJ高的稀土磁铁。本发明的解决办法为,提供一种R‑T‑B系永久磁铁,其包含由R2T14B化合物(R为稀土元素,T为过渡金属元素,B为硼)构成的主相晶粒和晶界。R含有Ce。R‑T‑B系永久磁铁中的Ce的含量相对于R的合计含量为15质量%以上且35质量%以下。晶界包含富R相和R‑T相。在R‑T‑B系永久磁铁的一个截面中,将R‑T相相对于晶界的面积比率设为S(R‑T)时,S(R‑T)为0.60以上且0.85以下。

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