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公开(公告)号:CN118202429A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202280073481.1
申请日:2022-11-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种R‑T‑B系永久磁铁,其含有Al、Ga及Zr。R的含量为30.00质量%以上33.00质量%以下,B的含量为0.70质量%以上0.88质量%以下,Al的含量大于0质量%且为0.07质量%以下,Ga的含量为0.40质量%以上1.00质量%以下,Zr的含量大于0.10质量%且为1.60质量%以下。
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公开(公告)号:CN118866495A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410498331.6
申请日:2024-04-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种R‑T‑B系永久磁铁,其含有C和Zr。R‑T‑B系永久磁铁包含主相颗粒及晶界。在R‑T‑B系永久磁铁的截面中,主相颗粒内的Zr浓度的分布为特定范围内的分布。在将晶界中所含的ZrB2的合计面积设为S(B),且将晶界中所含的ZrC的合计面积设为S(C)时,S(C)/(S(B)+S(C))为98.0%以上。在将R‑T‑B系永久磁铁设为100质量%时,Zr的含量为0.60质量%以上1.60质量%以下,B的含量超过0质量%且为0.85质量%以下,C的含量超过0质量%且为0.260质量%以下。
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公开(公告)号:CN118266045A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202280073407.X
申请日:2022-11-02
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/24 , H01F41/02 , C22C38/10 , C22C38/06 , C22C38/14 , C22C38/16
Abstract: 一种R‑T‑B系永久磁铁,其含有Al、Cu,Ga及Zr。R的含量为30.00质量%以上33.00质量%以下,Co的含量大于0.80质量%且为3.00质量%以下,B的含量为0.70质量%以上0.83质量%以下,Al的含量大于0质量%且小于0.20质量%、Cu的含量大于0.10质量%且小于1.50质量%、Ga的含量为0.40质量%以上1.00质量%以下,Zr的含量大于0.10质量%且为1.60质量%以下。
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公开(公告)号:CN111710489B
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202010169389.8
申请日:2020-03-12
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 工藤光
Abstract: 本发明的永久磁铁含有Nd、Fe、B和Ga,作为晶界相含有第一富T相(1)、第二富T相(3)和贫T相(5),第一富T相(1)满足1.7≤[T]/[R]≤3.0,第二富T相(3)满足0.8≤[T]/[R]≤1.5,贫T相(5)满足0.0≤[T]/[R]≤0.6,并且满足下述式4和式5。[T]为Fe和Co的浓度(原子%),[R]为Nd、Pr、Tb和Dy的浓度(原子%),S1为在永久磁铁的截面露出的第一富T相(1)的面积,S2为在上述截面露出的第二富T相(3)的面积,S3为在上述截面露出的贫T相(5)的面积。0.30≤(S1+S2)/(S1+S2+S3)≤0.80(4);0.20≤S2/(S1+S2)≤0.80(5)。
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公开(公告)号:CN111710489A
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN202010169389.8
申请日:2020-03-12
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 工藤光
Abstract: 本发明的永久磁铁含有Nd、Fe、B和Ga,作为晶界相含有第一富T相(1)、第二富T相(3)和贫T相(5),第一富T相(1)满足1.7≤[T]/[R]≤3.0,第二富T相(3)满足0.8≤[T]/[R]≤1.5,贫T相(5)满足0.0≤[T]/[R]≤0.6,并且满足下述式4和式5。[T]为Fe和Co的浓度(原子%),[R]为Nd、Pr、Tb和Dy的浓度(原子%),S1为在永久磁铁的截面露出的第一富T相(1)的面积,S2为在上述截面露出的第二富T相(3)的面积,S3为在上述截面露出的贫T相(5)的面积。0.30≤(S1+S2)/(S1+S2+S3)≤0.80 (4);0.20≤S2/(S1+S2)≤0.80 (5)。
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公开(公告)号:CN110299237A
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201910213095.8
申请日:2019-03-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: 烧结磁铁含有稀土元素R(例如Nd及Pr)、过渡金属元素T(例如Fe及Co)、B、Cu及Ga,烧结磁铁具备:多个主相颗粒(R2T14B的结晶颗粒)、和被三个以上的主相颗粒包围的多个晶界多重点,多个晶界多重点被分类为富过渡金属相(例如R6T13Ga)及富R相,富R相被分类为贫Cu相及富Cu相,在烧结磁铁的截面中满足下式1及2。N1为富过渡金属相的个数,N2为贫Cu相的个数,N3为富Cu相的个数。0.30≤N1/(N1+N2+N3)≤0.60……(1)0.03≤N3/N2≤0.20……(2)。
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公开(公告)号:CN116600916A
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202180082842.4
申请日:2021-11-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: B22F9/04
Abstract: 本发明的目的在于得到含有Ce的低成本的稀土磁铁,该稀土磁铁中,残留磁通密度(Br)、矫顽力(HcJ)和矩形比(Hk/HcJ)高、且耐腐蚀性高。本发明的解决手段为,提供一种R‑T‑B系永久磁铁,其含有R(稀土元素)、T(Fe和Co)、B(硼)、以及选自Al、Cu、Ga和Zr中的1种以上。R含有Ce。R的合计含量为31.3质量%以上且34.0质量%以下,Co的含量为1.85质量%以上且3.00质量%以下,B的含量为0.80质量%以上且0.90质量%以下,Al的含量为0.03质量%以上且0.90质量%以下,Cu的含量为0质量%以上且0.25质量%以下,Ga的含量为0质量%以上且0.10质量%以下,Zr的含量为0质量%以上且0.60质量%以下,Fe的含量为实际上的剩余部分。Ce相对于R的含量为15质量%以上且25质量%以下。
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公开(公告)号:CN116568840A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202180082790.0
申请日:2021-11-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: C22C38/00
Abstract: 本发明的课题在于得到一种含有Ce的低成本并且HcJ高的稀土磁铁。本发明的解决办法为,提供一种R‑T‑B系永久磁铁,其包含由R2T14B化合物(R为稀土元素,T为过渡金属元素,B为硼)构成的主相晶粒和晶界。R含有Ce。R‑T‑B系永久磁铁中的Ce的含量相对于R的合计含量为15质量%以上且35质量%以下。晶界包含富R相和R‑T相。在R‑T‑B系永久磁铁的一个截面中,将R‑T相相对于晶界的面积比率设为S(R‑T)时,S(R‑T)为0.60以上且0.85以下。
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