公开(公告)号：CN117321745A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280034429.5

申请日：2022-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中浩介 ,  佐藤真人 ,  小野研太 ,  渡边贵志

IPC: H01L21/60

Abstract: 在本发明的电子部件(1)中，防扩散层(35)的第二部分(37)与基材(5)的主面(5a)平行地延伸。在将电子部件(1)表面安装于安装基板时，在电子部件(1)的电极(30A、30B)和安装基板的接地电极之间介设有焊料等导电性的接合材料。当防扩散层(35)和基板(10)之间的接合面较宽时，接合材料的金属成分难以通过接合面(S)到达电极(30A、30B)的主体部(31)。因此，抑制了接合材料的金属成分扩散到主体部(31)的情况，并抑制了扩散所引起的电极(30A、30B)的强度降低。

公开(公告)号：CN117337481A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202280035575.X

申请日：2022-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中浩介 ,  佐藤真人 ,  小野研太 ,  谷口晋

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供半导体元件和其制造方法。在半导体元件(1)中，比第一电极(30)高的第二电极(40)与第一电极(30)同时形成，第一电极(30)和第二电极(40)的上表面(30a、40a)的高度位置(h1、h2)大致一致。在半导体元件(1)中，因为能够同时形成这样的第一电极(30)和第二电极(40)，能够以更少的工序形成具有第一电极(30)和第二电极(40)的半导体元件(1)。