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公开(公告)号：CN100384622C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN03124360.6
申请日：2003-04-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 通过使剥离层的涂敷条件最佳化，提供一种将陶瓷涂料涂敷在剥离层上时，不发生弹起，结果是从剥离膜上剥离后获得具有良好尺寸形状(特别是宽度方向端部中)陶瓷印刷电路基板的剥离膜及其制造方法。在基体材料膜1的至少一个面上，利用涂敷设置剥离层2形成的剥离膜中，在基体材料膜1的宽度方向两端部具有未涂敷剥离层2的部分，并在涂敷包括剥离层2的由目视识别的端部4和未涂敷部分5的油性墨水9时，不沾着油性墨水9的部分8，从由目视识别的端部4到未涂敷部分5的宽度方向上的长度，在2.0mm以下。
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公开(公告)号：CN106025191B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201610184399.2
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高的速率特性的锂离子二次电池用正极活性物质、锂离子二次电池用正极以及锂离子电池。本发明所涉及的锂离子二次电池用正极活性物质的特征在于：具有活性物质颗粒、以及覆盖活性物质颗粒表面的至少一部分的覆盖层，该活性物质颗粒包含一种以上的含有Li以及过渡金属的化合物，覆盖层是由石墨烯或者多层石墨烯中的至少一种构成，在覆盖层的拉曼光谱中具有G频带(1530cm‑1～1630cm‑1的波峰)、2D频带([2650cm‑1～2750cm‑1的波峰]，以G频带的强度进行标准化后的2D频带的强度(2Dint/Gint)满足0.05≤2Dint/Gint。
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公开(公告)号：CN1533885A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03124360.6
申请日：2003-04-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 通过使剥离层的涂敷条件最佳化，提供一种将陶瓷涂料涂敷在剥离层上时，不发生弹起，结果是从剥离膜上剥离后获得具有良好尺寸形状(特别是宽度方向端部中)陶瓷印刷电路基板的剥离膜及其制造方法。在基体材料膜1的至少一个面上，利用涂敷设置剥离层2形成的剥离膜中，在基体材料膜1的宽度方向两端部具有未涂敷剥离层2的部分，并在涂敷包括剥离层2的由目视识别的端部4和未涂敷部分5的油性墨水9时，不沾着油性墨水9的部分8，从由目视识别的端部4到未涂敷部分5的宽度方向上的长度，在2.0mm以下。
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公开(公告)号：CN104518199A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410521112.1
申请日：2014-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M4/02 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M10/0525 , Y02E60/122
Abstract: 一种得到兼备高的电极密度和优异的速率放电特性的锂离子二次电池，正极包含由Lia(NixCoyAl1-x-y)O2(0.95≤a≤1.05，0.5≤x≤0.9，0.05≤y≤0.2)表示的化合物的正极活性物质和附着于其表面的碳，正极电极在使用了532nm激光的拉曼光谱中，具有位于1200～1450cm-1的峰PA(D带)、位于1450～1700cm-1的峰PB(G带)、以及位于400～600cm-1的峰PC，在以波数区域200～1800cm-1中的、最大强度为1、最小强度为0进行标准化时，峰PA与峰PB的2个峰之间的最小(V带)的拉曼强度为0.6以下，峰PC的拉曼强度为0.1以上且0.5以下。
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公开(公告)号：CN100338153C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN03108542.3
申请日：2003-03-26
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 宫原裕之
IPC: C09D5/20 , C09D167/00
Abstract: 本发明提供一种可适当防止陶瓷电容器的层积层间的灰尘或异物混入的剥离薄膜之制造方法，可借此快速降低不良发生率。其解决手段是在连续输送的聚酯薄膜的至少单面上涂敷剥离剂液之后，干燥卷绕成滚柱状前，洗净上述聚酯薄膜的剥离剂液涂敷面。另外，在包含在连续输送的聚酯薄膜的至少单面上涂敷剥离剂液之后，干燥卷绕成滚柱状后，裁断成预定宽度的步骤之剥离薄膜制造方法中，在上述预定宽度的裁断后，洗净上述聚酯薄膜的剥离剂液涂敷面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1532231A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03108542.3
申请日：2003-03-26
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 宫原裕之
IPC: C09D5/20 , C09D167/00
Abstract: 本发明提供一种可适当防止陶瓷电容器的层积层间的灰尘或异物混入的剥离薄膜之制造方法，可借此快速降低不良发生率。其解决手段是在连续输送的聚酯薄膜的至少单面上涂敷剥离剂液之后，干燥卷绕成滚柱状前，洗净上述聚酯薄膜的剥离剂液涂敷面。另外，在包含在连续输送的聚酯薄膜的至少单面上涂敷剥离剂液之后，干燥卷绕成滚柱状后，裁断成预定宽度的步骤之剥离薄膜制造方法中，在上述预定宽度的裁断后，洗净上述聚酯薄膜的剥离剂液涂敷面。
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公开(公告)号：CN1524689A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN03106750.6
申请日：2003-02-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 提供一种极少发生热收缩，层叠时的定位精度良好，生产成品率高的剥离薄膜的制造方法。于包含在涂布剥离削液于连续传送的聚酯薄膜的至少单面后，使之干燥·硬化，此后，在变更传送张力后，或不进行传送张力的变更，卷绕成辊筒状的步骤的剥离薄膜的制造方法中，于前述干燥·硬化后，前述传送张力的变更前，或于卷绕成辊筒状之前，在垂直于前述聚酯薄膜纵长方向的每单位面积12N/cm2以上260N/cm2以下的张力下，进行该聚酯薄膜的加热处理，使其表面温度在75℃以下130℃以下，其次，在该聚酯薄膜的表面温度低于75℃之后，进行前述传送张力的变更，或者不进行传送张力的变更而进行辊筒状的卷绕。
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公开(公告)号：CN104508874B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201380039789.5
申请日：2013-07-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M4/525 , H01M2/02 , H01M4/131 , H01M10/052 , H01M10/0568
CPC classification number: H01M4/525 , H01M2/0285 , H01M2/0287 , H01M4/131 , H01M4/523 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/028 , Y02E60/122
Abstract: 本发明解决的技术问题在于获得高倍率放电特性优异的锂离子二次电池。解决技术问题的手段是：通过在正极中使用以Lia(NixCoyAl1‑x‑y)O2(0.95≤a≤1.05；0.5≤x≤0.9；0.05≤y≤0.2；0.7≤x+y≤1.0)表示的化合物作为正极活性物质并且正极的电极密度为3.75～4.1g/cm3、正极作为电极的BET比表面积为1.3～3.5m2/g的锂离子二次电池，从而获得优异的高倍率放电特性。
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公开(公告)号：CN104518199B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410521112.1
申请日：2014-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M4/02 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M10/0525 , Y02E60/122
Abstract: 一种得到兼备高的电极密度和优异的速率放电特性的锂离子二次电池，正极包含由Lia(NixCoyAl1‑x‑y)O2(0.95≤a≤1.05，0.5≤x≤0.9，0.05≤y≤0.2)表示的化合物的正极活性物质和附着于其表面的碳，正极电极在使用了532nm激光的拉曼光谱中，具有位于1200～1450cm‑1的峰PA(D带)、位于1450～1700cm‑1的峰PB(G带)、以及位于400～600cm‑1的峰PC，在以波数区域200～1800cm‑1中的、最大强度为1、最小强度为0进行标准化时，峰PA与峰PB的2个峰之间的最小(V带)的拉曼强度为0.6以下，峰PC的拉曼强度为0.1以上且0.5以下。
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公开(公告)号：CN106025191A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610184399.2
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高的速率特性的锂离子二次电池用正极活性物质、锂离子二次电池用正极以及锂离子电池。本发明所涉及的锂离子二次电池用正极活性物质的特征在于：具有活性物质颗粒、以及覆盖活性物质颗粒表面的至少一部分的覆盖层，该活性物质颗粒包含一种以上的含有Li以及过渡金属的化合物，覆盖层是由石墨烯或者多层石墨烯中的至少一种构成，在覆盖层的拉曼光谱中具有G频带(1530cm‑1～1630cm‑1的波峰)、2D频带([2650cm‑1～2750cm‑1的波峰]，以G频带的强度进行标准化后的2D频带的强度(2Dint/Gint)满足0.05≤2Dint/Gint。
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