公开(公告)号：CN1862664A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080345.8

申请日：2006-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加加美健朗 ,  清野浩 ,  平林启 ,  小俣英一 ,  矢里晴司 ,  坂本孝光

IPC: G11B5/31 ,  G11B21/21

Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。

公开(公告)号：CN1815560A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510130488.0

申请日：2005-12-13

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 坂本孝光 ,  大池太郎 ,  栗原克树 ,  梁卓荣

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/012 ,  G11B5/60

Abstract: 提供了一种薄膜磁头，该薄膜磁头使由发热装置产生的热引起的头端面的伸出变得大到足以有效地将磁间距dMS设为较小值。该头包括：具有元件形成面和ABS的衬底，在元件形成面上形成至少一个凹部；在元件形成面上方或在元件形成面上形成的至少一个磁头元件；嵌入至少一个凹部中的至少一个热膨胀层；以及位于至少一个热膨胀层正上方的至少一个发热装置。

公开(公告)号：CN100373455C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610080345.8

申请日：2006-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加加美健朗 ,  清野浩 ,  平林启 ,  小俣英一 ,  矢里晴司 ,  坂本孝光

IPC: G11B5/31 ,  G11B21/21

Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。

公开(公告)号：CN100373454C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510130488.0

申请日：2005-12-13

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 坂本孝光 ,  大池太郎 ,  栗原克树 ,  梁卓荣

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/012 ,  G11B5/60

Abstract: 提供了一种薄膜磁头，该薄膜磁头使由发热装置产生的热引起的头端面的伸出变得大到足以有效地将磁间距dMS设为较小值。该头包括：具有元件形成面和ABS的衬底，在元件形成面上形成至少一个凹部；在元件形成面上方或在元件形成面上形成的至少一个磁头元件；嵌入至少一个凹部中的至少一个热膨胀层；以及位于至少一个热膨胀层正上方的至少一个发热装置。