公开(公告)号：CN117083422A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280023631.8

申请日：2022-01-18

Applicant: SEC炭素株式会社

Inventor： 盐见弘

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明提供SiC单晶生长装置及SiC晶体生长方法，其能够减少晶种的温度分布的偏差、晶种的变形、损伤，由此使缺陷、裂纹较少的SiC单晶生长。SiC单晶生长装置(1)包括：加热容器(10)，其在由筒状的侧周部分(14)划分形成的内部空间(S)的上下部分中的任一个部分(例如底部(13))具有供由SiC构成的固体原料(M(s))收纳的原料收纳部(12)，在位于与该一个部分相对的位置的另一个部分(例如盖部(16))具有供SiC的晶种(2)安装的基座部(17)；以及加热部件(3)，其对固体原料(M(s))进行加热，晶种(2)隔着具有导热系数的各向异性的第1各向异性片材(41)安装于基座部(17)，就第1各向异性片材(41)而言，片材的面内方向(x)的导热系数较大，片材的厚度方向(y)的导热系数较小。

公开(公告)号：CN116867933A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280011111.5

申请日：2022-01-17

Applicant: SEC炭素株式会社

Inventor： 盐见弘

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种SiC单晶生长装置，其能够对固体原料均匀地进行加热而使其升华为气体原料，并且能够减少使SiC单晶生长时的原料的浪费。SiC单晶生长装置(1)包括：加热容器(10)，其具有原料收纳部(12)和晶种安装部(16)，原料收纳部(12)在由筒状的侧周部分(14)划分形成的内部空间(S)的局部收纳有由SiC构成的固体原料(M(s))，在原料收纳部(12)的内部空间(S)的未收纳固体原料(M(s))的一侧具有晶种安装部(16)，该晶种安装部供SiC的晶种(2)配置；以及加热部件(3)，其对加热容器(10)进行加热，加热部件(3)具有第1加热部(31)，该第1加热部(31)具有第1加热面(31a)，该第1加热面相对于处于加热容器(10)的外表面侧且是原料收纳部(12)的与晶种安装部(16)相对的主面部分而言以覆盖该主面部分的整个外表面的位置关系与该主面部分相对配置，在将内部空间(S)的圆形切片面积设为A并将第1加热面(31a)的面积设为B时，满足B/A≥2的关系。