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公开(公告)号：CN103698844A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310485694.8
申请日：2013-08-29
Applicant: OFS飞泰尔公司
Inventor： 蒂里·F·陶内伊
CPC classification number: G02B6/02004 , C03B2201/36 , C03B2203/23 , G02B6/02338 , G02B6/03644 , H01S3/06733 , H01S3/094007 , H01S3/1608 , H01S3/1616 , H01S3/1618
Abstract: 在芯区与内包层区之间设有沟槽区的光纤设计中，增大单模的增益产生光纤的包层吸收。在实现增大包层吸收的同时，保持单模操作。
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公开(公告)号：CN103675991A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310491351.2
申请日：2013-08-29
Applicant: OFS飞泰尔公司
Inventor： 蒂里·F·陶内伊
CPC classification number: G02B6/02338 , B29D11/00682 , C03B2201/36 , C03B2203/23 , G02B6/02004 , G02B6/036 , G02B6/03644 , H01S3/06704 , H01S3/06733 , H01S3/06754 , H01S3/1618
Abstract: 本发明是增大包层吸收同时保持单模操作的双包层增益产生光纤。在芯区与内包层区之间设有沟槽区的光纤设计中，增大单模的双包层的增益产生光纤的包层吸收。在实现增大包层吸收的同时，保持单模操作。
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公开(公告)号：CN103675991B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201310491351.2
申请日：2013-08-29
Applicant: OFS飞泰尔公司
Inventor： 蒂里·F·陶内伊
CPC classification number: G02B6/02338 , B29D11/00682 , C03B2201/36 , C03B2203/23 , G02B6/02004 , G02B6/036 , G02B6/03644 , H01S3/06704 , H01S3/06733 , H01S3/06754 , H01S3/1618
Abstract: 本发明是增大包层吸收同时保持单模操作的双包层增益产生光纤。在芯区与内包层区之间设有沟槽区的光纤设计中，增大单模的双包层的增益产生光纤的包层吸收。在实现增大包层吸收的同时，保持单模操作。
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