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公开(公告)号:CN114879301A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210516426.7
申请日:2015-12-15
Applicant: NKT光子学有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/027 , C03C25/1065
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中,PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中,所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层,该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘,其中Th为至少约50℃,优选地,50℃
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公开(公告)号:CN114879300A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210516366.9
申请日:2015-12-15
Applicant: NKT光子学有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/027 , C03C25/1065 , C03C25/54
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中,PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中,所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层,该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘,其中Th为至少约50℃,优选地,50℃
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公开(公告)号:CN107209323A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201580075601.1
申请日:2015-12-15
Applicant: NKT光子学有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/012
CPC classification number: G02B6/03694 , C03B37/02781 , C03B37/0279 , C03B37/10 , C03B2201/02 , C03B2201/12 , C03B2201/21 , C03B2201/22 , C03B2203/14 , C03B2203/23 , C03B2203/42 , C03C13/045 , C03C13/046 , C03C25/1061 , C03C25/1062 , C03C25/1068 , C03C25/607 , C03C2201/02 , C03C2201/21 , C03C2201/22 , G02B6/02347 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02395 , G02B6/14 , G02F1/365 , G02F2001/3528
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中,PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中,所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层,该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘,其中Th为至少约50℃,优选地,50℃
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