公开(公告)号：CN101981676A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111418.7

申请日：2009-03-30

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  东海林功 ,  田边浩 ,  柴田惠

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。