公开(公告)号：CN100490179C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510065192.5

申请日：2005-04-14

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 大石三真 ,  上原雅之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明的TFT，包括：顺序地形成在绝缘衬底上的栅电极、栅绝缘膜和第一半导体膜；包括高密度杂质的第二半导体膜，其形成在第一半导体膜上并被分离成在同一平面上的部分；以及第一电极和第二电极，其每一个都形成在分离的第二半导体膜上。而且，第一半导体膜的外围部分包括从第二半导体膜的边缘向外部突出的部分，且突出部分的表面被粗糙化。通过粗糙化突出部分的表面，能够保持TFT的导通电流并能够抑制泄露电流。

公开(公告)号：CN1684273A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510065192.5

申请日：2005-04-14

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 大石三真 ,  上原雅之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明的TFT，包括：顺序地形成在绝缘衬底上的栅电极、栅绝缘膜和第一半导体膜；包括高密度杂质的第二半导体膜，其形成在第一半导体膜上并被分离成在同一平面上的部分；以及第一电极和第二电极，其每一个都形成在分离的第二半导体膜上。而且，第一半导体膜的外围部分包括从第二半导体膜的边缘向外部突出的部分，且突出部分的表面被粗糙化。通过粗糙化突出部分的表面，能够保持TFT的导通电流并能够抑制泄露电流。