公开(公告)号：CN1483515B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN03178418.6

申请日：2003-07-16

Applicant: M技术株式会社

Inventor： 榎村眞一

IPC: B02C7/12 ,  B02C7/08 ,  B02C7/175

CPC classification number: B01F7/00758 ,  B01F7/00791 ,  B01F7/1625 ,  B01F2215/0409 ,  B01F2215/0431

Abstract: 本发明提供能进行高精度的分散、乳化、破碎、生产率高、构造简单的流动体的处理装置。本申请发明的装置、在密封流体通路中配置有相互相对并构成该通路的一部分的第1处理用面(1)及第2处理用面(2)至少二个处理用面，并包括压接两处理用面(1，2)的面接近压力施加机构。通过第2处理用面(2)相对第1处理用面(1)旋转或双方的相互相反方向的旋转，在两处理用面(1，2)间进行被处理流动体的分散及乳化处理。在上述接近压力施加机构的加压下，第1处理用面(1)和第2处理用面(2)处于被相互压接或接近的状态。由上述旋转，被处理流动体在第1处理用面(1)和第2处理用面(2)之间一边形成流体膜一边从两处理用面(1，2)间通过，从而获得所希望的该被处理流动体的乳化或分散状态。

公开(公告)号：CN1483515A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03178418.6

申请日：2003-07-16

Applicant: M技术株式会社

Inventor： 榎村眞一

IPC: B02C7/12 ,  B02C7/08 ,  B02C7/175

CPC classification number: B01F7/00758 ,  B01F7/00791 ,  B01F7/1625 ,  B01F2215/0409 ,  B01F2215/0431

Abstract: 本发明提供能进行高精度的分散、乳化、破碎、生产率高、构造简单的流动体的处理装置。本申请发明的装置、在密封流体通路中配置有相互相对并构成该通路的一部分的第1处理用面(1)及第(2)至少处理用面(2)二个处理用面，并包括压接两处理用面(1，2)的面接近压力施加机构。通过第2处理用面(2)相对第1处理用面(1)旋转，在两处理用面(1，2)间进行被处理流动体的分散及乳化处理。在上述面接近压力施加机构的加压下，第1处理用面(1)和第2处理用面(2)处于被相互压接或接近的状态。由上述旋转，被处理流动体在第1处理用面(1)和第2处理用面(2)之间一边形成流体膜一边从两处理用面(1，2)间通过，从而获得所希望的该被处理流动体的乳化或分散状态。