公开(公告)号：CN100448043C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200610103138.X

申请日：2006-07-05

Applicant: LG电子株式会社 ,  LG伊诺特有限公司

Inventor： 李贤宰 ,  河俊硕

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/784

CPC classification number: H01L33/0079

Abstract: 发光器件及其制造方法具有的优点在于：除去在多个发光结构之间形成的蚀刻膜，以互相分离发光结构的各个侧面，并且除去衬底以彼此分离器件的下部，由此更易于器件的分割。更进一步的优点在于不进行划片工艺而分开器件，从而可以减少例如裂缝或弯曲等缺陷的出现，并且不用为划片工艺保留器件之间的间隔，由此增加了器件的集成度。

公开(公告)号：CN101026215B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200710084111.5

申请日：2007-02-16

Applicant: LG电子株式会社 ,  LG伊诺特有限公司

Inventor： 张峻豪 ,  河俊硕

IPC: H01L33/00

Abstract: 公开了一种具有垂直结构的发光器件及其制造方法，该发光器件能够实现泄漏光效率的增强。该发光器件包括具有第一表面和第二表面的半导体层，布置在半导体层的第一表面上的第一电极，布置在半导体层的第二表面上的透明导电氧化物层，和布置在透明导电氧化物层上的第二电极。

公开(公告)号：CN1933196A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610103138.X

申请日：2006-07-05

Applicant: LG电子株式会社 ,  LG伊诺特有限公司

Inventor： 李贤宰 ,  河俊硕

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/784

CPC classification number: H01L33/0079

Abstract: 发光器件及其制造方法具有的优点在于：除去在多个发光结构之间形成的蚀刻膜，以互相分离发光结构的各个侧面，并且除去衬底以彼此分离器件的下部，由此更易于器件的分割。更进一步的优点在于不进行划片工艺而分开器件，从而可以减少例如裂缝或弯曲等缺陷的出现，并且不用为划片工艺保留器件之间的间隔，由此增加了器件的集成度。

公开(公告)号：CN102751415B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210188762.X

申请日：2007-02-16

Applicant: LG电子株式会社 ,  LG伊诺特有限公司

Inventor： 张峻豪 ,  河俊硕

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0079

Abstract: 公开了一种具有垂直结构的发光器件及其制造方法，发光器件，包括：支撑层；在所述支撑层上的第一电极；在所述第一电极上的半导体结构，所述半导体结构具有倾斜的侧表面；在所述半导体层上的透明层；在所述半导体结构的一部分上的第二电极；以及金属层，其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间，所述金属层对于包含在所述半导体结构的至少一种元素具有反应性，其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。

公开(公告)号：CN102751415A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210188762.X

申请日：2007-02-16

Applicant: LG电子株式会社 ,  LG伊诺特有限公司

Inventor： 张峻豪 ,  河俊硕

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0079

Abstract: 公开了一种具有垂直结构的发光器件及其制造方法，发光器件，包括：支撑层；在所述支撑层上的第一电极；在所述第一电极上的半导体结构，所述半导体结构具有倾斜的侧表面；在所述半导体层上的透明层；在所述半导体结构的一部分上的第二电极；以及金属层，其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间，所述金属层对于包含在所述半导体结构的至少一种元素具有反应性，其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。

公开(公告)号：CN101026215A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710084111.5

申请日：2007-02-16

Applicant: LG电子株式会社 ,  LG伊诺特有限公司

Inventor： 张峻豪 ,  河俊硕

IPC: H01L33/00

Abstract: 公开了一种具有垂直结构的发光器件及其制造方法，该发光器件能够实现泄漏光效率的增强。该发光器件包括具有第一表面和第二表面的半导体层，布置在半导体层的第一表面上的第一电极，布置在半导体层的第二表面上的透明导电氧化物(TCO)层，和布置在TCO层上的第二电极。

公开(公告)号：CN1881630A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610089835.4

申请日：2006-05-24

Applicant: LG电子株式会社 ,  LG伊诺特有限公司

Inventor： 河俊硕 ,  金钟旭

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 公开了一种杆型发光器件及其制造方法，其中在第一极性层上由能够发光的材料形成杆，并且形成卷绕每个杆的第二极性层，由此增加发光面积，并且也增加发射到外部的光的数量而不会限制在器件范围内，由此改善器件的光输出。此外，由纳米杆结构形成的有源层提高光输出效率。