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发明公开
高熵合金及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117845119A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311299179.0

申请日：2023-10-09

Applicant: LG电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团

Inventor： 金正旭 , 梁恩寿 , 边韬均 , 孙锡秀 , 金英睦 , 张泰金

IPC: C22C30/02 , C22F1/02 , C22C1/02

Abstract: 本发明涉及高熵合金及其制造方法，更具体而言，所述高熵合金包含多元系合金基底和Cu，包括具有FCC(Face Centered Cubic)系相的合金，从而在保持FCC系单相的同时可以具有比以往过渡金属合金更高的硬度和强度，并且本发明的高熵合金具有高润滑性。

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