公开(公告)号：CN107077935A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201480083350.7

申请日：2014-12-08

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南宫锡 ,  朴德海 ,  姜諵锡

IPC: H01F1/053 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/0577 ,  B22F3/14 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0475 ,  C22C28/00 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/005 ,  C22C2200/04 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0576 ,  H01F41/0293 ,  B22F2003/248

Abstract: 本发明的R‑TM‑B热压变形的磁体(这里，R表示选自由Nd、Dy、Pr、Tb、Ho、Sm、Sc、Y、La、Ce、Pm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu及其组合组成的组中的稀土金属，并且TM表示过渡金属)包含平坦型各向异性的磁化晶粒和分布于晶粒之间的边界界面中的非磁性合金，因此，本发明的磁体与现有永磁体相比具有优异的磁屏蔽效果，因为晶粒可以被完全包围在非磁性合金中，使得可以通过更经济的处理来制造具有增强矫顽力的热压变形的磁体。