公开(公告)号：CN102596802A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048287.5

申请日：2010-08-26

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 金柄淑 ,  韩姃恩 ,  金相明

IPC分类号： C01B31/36 ,  C04B35/565

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/63404 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/63456 ,  C04B35/63496 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/72

摘要： 本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备方法和系统。即，本发明的高纯碳化硅粉体的制备方法包括：在混合器中制备由硅源和碳源组成的混合物的步骤；和通过在大于0.03托且等于和小于0.5托的真空度和在等于或大于1300℃且等于和小于1900℃的温度下加热所述混合物来合成碳化硅(SiC)粉体的步骤。