公开(公告)号：CN101073160B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580041801.1

申请日：2005-12-05

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 提供的氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层，和在第一氮化物半导体层上形成的激活层，和在激活层上形成的掺杂“C”的第二氮化物半导体层。按照本发明，激活层的结晶度得到提高，并且光学功率和操作可靠性得到增强。

公开(公告)号：CN100568551C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200580041795.X

申请日：2005-12-05

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： 本发明涉及氮化物半导体发光器件，包括：具有AlGaN/n-GaN或AlGaN/GaN/n-GaN的超晶格结构的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上形成的用以发光的有源层；在有源层上形成的第二氮化物半导体层；和在第二氮化物半导体层上形成的第三氮化物半导体层。根据本发明，有源层的结晶度得到提高，并且光功率和可靠性也得到提高。

公开(公告)号：CN100524858C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580040990.0

申请日：2005-12-05

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，包括：具有通过蚀刻形成在其表面上的预定图案的衬底；位于所述衬底的未蚀刻区域上并且具有在其上堆叠的第一缓冲层和第一氮化物半导体层的突出部；形成在所述衬底的蚀刻区域上的第二缓冲层；形成在所述第二缓冲层和所述突出部上的第二氮化物半导体层；形成在所述第二氮化物半导体层上的第三氮化物半导体层；形成在所述第三氮化物半导体层上用于发光的有源层；和形成在所述有源层上的第四氮化物半导体层。根据本发明，可以提高氮化物半导体发光器件的光提取效率。

公开(公告)号：CN101425556A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810174254.X

申请日：2005-08-19

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的氮化物半导体发光器件包括：形成在第一氮化物半导体层上的有源层；形成在有源层上的第二氮化物半导体层；具有AlIn的第三氮化物半导体层，该层形成在第二氮化物半导体层上。及氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上的n－AlInN覆盖层；形成在n－AlInN覆盖层上的n－InGaN层；形成在n－InGaN层上的有源层；形成在有源层上的p－InGaN层；形成在p－InGaN层上的p－AlInN覆盖层；形成在p－AlInN覆盖层上的第二氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN101073161A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200580041803.0

申请日：2005-12-05

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/007

摘要： 提供了一种氮化物半导体发光器件，包括：衬底；在衬底上形成的第一缓冲层；在第一缓冲层上形成的含铟第二缓冲层；在第二缓冲层上形成的含铟第三缓冲层；在第三缓冲层上形成的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上形成的有源层；和在有源层上形成的第二氮化物半导体层。根据本发明，晶体缺陷得到进一步抑制，使得有源层的结晶度得到提高，并且光功率和可靠性也得到提高。

公开(公告)号：CN101069289A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200580040963.3

申请日：2005-12-05

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L27/15 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/305 ,  H01L33/32

摘要： 提供一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。根据本发明，提高了氮化物半导体发光器件的光功率，改善了光功率下降现象并提高了抗ESD(静电放电)的可靠性。

公开(公告)号：CN101577305B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910143038.3

申请日：2005-12-05

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L27/15 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/305 ,  H01L33/32

摘要： 提供一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。根据本发明，提高了氮化物半导体发光器件的光功率，改善了光功率下降现象并提高了抗ESD(静电放电)的可靠性。

公开(公告)号：CN101425556B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810174254.X

申请日：2005-08-19

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的氮化物半导体发光器件包括：形成在第一氮化物半导体层上的有源层；形成在有源层上的第二氮化物半导体层；具有AlIn的第三氮化物半导体层，该层形成在第二氮化物半导体层上。及氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上的n-AlInN覆盖层；形成在n-AlInN覆盖层上的n-InGaN层；形成在n-InGaN层上的有源层；形成在有源层上的p-InGaN层；形成在p-InGaN层上的p-AlInN覆盖层；形成在p-AlInN覆盖层上的第二氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN101656288A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910172051.1

申请日：2005-07-06

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明涉及氮化物半导体LED。根据本发明的一种氮化物半导体发光二极管，包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和部分突出在所述第二导电半导体层上的第四半导体层。根据本发明的另一种氮化物半导体发光二极管，包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和铟含量顺序变动的超梯度半导体层。

公开(公告)号：CN100576585C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200580032507.4

申请日：2005-08-19

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 李昔宪

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 根据本发明所述的氮化物半导体发光器件，包括形成在第一氮化物半导体层上的有源层；形成在有源层上的第二氮化物半导体层；具有AlIn的第三氮化物半导体层，该层形成在第二氮化物半导体层上。及氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上的n-AlInN覆盖层；形成在n-AlInN覆盖层上的n-InGaN层；形成在n-InGaN层上的有源层；形成在有源层上的p-InGaN层；形成在p-InGaN层上的p-AlInN覆盖层；形成在p-AlInN覆盖层上的第二氮化物半导体层。