公开(公告)号：CN108885287A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019268.1

申请日：2017-03-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 葛西达也 ,  长屋胜也 ,  大月敏敬

IPC: G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28

Abstract: 本发明的课题在于提供一种除高可见光穿透率以外，在近红外波长区域中也具有高光线截止特性且耐热性优异的光学滤波器。本发明的光学滤波器的特征在于包括：基材及形成于所述基材的至少一个面上的介电质多层膜，所述基材包含在600nm～1150nm中具有最大吸收的化合物(S)、及分子内具有至少一个磷原子的抗氧化剂(P)。

公开(公告)号：CN112255720A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011266690.7

申请日：2017-03-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 葛西达也 ,  长屋胜也 ,  大月敏敬

IPC: G02B5/22 ,  G02B5/20 ,  G02B5/00 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的课题在于提供一种除高可见光穿透率以外，在近红外波长区域中也具有高光线截止特性且耐热性优异的光学滤波器、固体摄像装置及照相机模块。本发明的光学滤波器包括：基材及形成于所述基材的至少一个面上的介电质多层膜，所述基材包含在600nm～1150nm中具有最大吸收的化合物(S)、及分子内具有至少一个磷原子的抗氧化剂(P)。

公开(公告)号：CN112946804B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202110181464.7

申请日：2017-08-30

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 葛西达也 ,  长屋胜也 ,  堀内正子 ,  重冈大介

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  H01L27/146 ,  C09B57/00 ,  C09B47/04 ,  C09B23/00 ,  B32B7/023

Abstract: 本发明的课题在于提供一种可以高水平兼顾以往的光学滤波器中无法充分实现的照相机图像的颜色阴影抑制与重影抑制的光学滤波器及使用光学滤波器的装置。本发明的光学滤波器具有满足必要条件(a)～(c)的基材：(a)具有包含在波长650nm以上且760nm以下的区域具有最大吸收的化合物(A)的层；(b)在波长640nm以上的区域中透过率成为10％的最短波长(X1)与第二短波长(X2)的差(X2‑X1)为50nm以上；(c)波长900nm、1000nm及1100nm中的透过率均为65％以下。

公开(公告)号：CN112946804A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110181464.7

申请日：2017-08-30

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 葛西达也 ,  长屋胜也 ,  堀内正子 ,  重冈大介

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  H01L27/146 ,  C09B57/00 ,  C09B47/04 ,  C09B23/00 ,  B32B7/023

Abstract: 本发明的课题在于提供一种可以高水平兼顾以往的光学滤波器中无法充分实现的照相机图像的颜色阴影抑制与重影抑制的光学滤波器及使用光学滤波器的装置。本发明的光学滤波器具有满足必要条件(a)～(c)的基材：(a)具有包含在波长650nm以上且760nm以下的区域具有最大吸收的化合物(A)的层；(b)在波长640nm以上的区域中透过率成为10％的最短波长(X1)与第二短波长(X2)的差(X2‑X1)为50nm以上；(c)波长900nm、1000nm及1100nm中的透过率均为65％以下。

公开(公告)号：CN109642973B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201780052711.5

申请日：2017-08-30

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 葛西达也 ,  长屋胜也 ,  堀内正子 ,  重冈大介

IPC: G02B5/22 ,  B32B7/023 ,  C09B23/00 ,  C09B47/04 ,  C09B57/00 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的课题在于提供一种可以高水平兼顾以往的光学滤波器中无法充分实现的照相机图像的颜色阴影抑制与重影抑制的光学滤波器及使用光学滤波器的装置。本发明的光学滤波器的特征在于：具有满足必要条件(a)～(c)的基材：(a)具有包含在波长650nm以上且760nm以下的区域具有最大吸收的化合物(A)的层；(b)在波长640nm以上的区域中透过率成为10％的最短波长(X1)与第二短波长(X2)的差(X2‑X1)为50nm以上；(c)波长900nm、1000nm及1100nm中的透过率均为65％以下。

公开(公告)号：CN107407754B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201680018672.2

申请日：2016-03-17

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 长屋胜也 ,  重冈大介 ,  堀内正子 ,  葛西达也

IPC: G02B5/22 ,  G02B5/28

Abstract: 本发明的课题在于提供一种入射角依存性小，可减少近红外光自倾斜方向入射时的多重反射的光学滤波器及使用光学滤波器的装置。本发明光学滤波器的特征在于：包括基材与形成于所述基材的至少一个面上的电介质多层膜，基材具有含有在600nm以上且小于750nm的波长中具有最大吸收的化合物(A)、及在750nm以上且1050nm以下的波长中具有最大吸收的化合物(S)的透明树脂层，或具有含有所述化合物(A)的透明树脂层及含有所述化合物(S)的透明树脂层，满足下述必要条件(a)：(a)在波长800nm～1000nm的区域中，自光学滤波器的垂直方向测定时的透过率的平均值为5％以下。

公开(公告)号：CN109642973A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052711.5

申请日：2017-08-30

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 葛西达也 ,  长屋胜也 ,  堀内正子 ,  重冈大介

IPC: G02B5/22 ,  B32B7/02 ,  C09B23/00 ,  C09B47/04 ,  C09B57/00 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  H01L27/146

CPC classification number: B32B7/02 ,  C09B23/00 ,  C09B47/04 ,  C09B57/00 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的课题在于提供一种可以高水平兼顾以往的光学滤波器中无法充分实现的照相机图像的颜色阴影抑制与重影抑制的光学滤波器。本发明的光学滤波器的特征在于：具有满足必要条件(a)～(c)的基材：(a)具有包含在波长650nm以上且760nm以下的区域具有最大吸收的化合物(A)的层；(b)在波长640nm以上的区域中透过率成为10％的最短波长(X1)与第二短波长(X2)的差(X2-X1)为50nm以上；(c)波长900nm、1000nm及1100nm中的透过率均为65％以下。

公开(公告)号：CN107407754A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680018672.2

申请日：2016-03-17

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 长屋胜也 ,  重冈大介 ,  堀内正子 ,  葛西达也

IPC: G02B5/22 ,  G02B5/28

Abstract: 本发明的课题在于提供一种入射角依存性小，可减少近红外光自倾斜方向入射时的多重反射的光学滤波器。本发明光学滤波器的特征在于：包括基材与所述基材的至少一个面上的电介质多层膜，基材具有含有在600nm以上且小于750nm的波长中具有最大吸收的化合物(A)、及在750nm以上且1050nm以下的波长中具有最大吸收的化合物(S)的透明树脂层，或具有含有所述化合物(A)的透明树脂层及含有所述化合物(S)的透明树脂层，满足下述必要条件(a)：(a)在波长800nm～1000nm的区域中，自光学滤波器的垂直方向测定时的透过率的平均值为5％以下。