半导体处理用组合物及处理方法

    公开(公告)号:CN109863580A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201880003886.1

    申请日:2018-06-27

    Abstract: 本发明提供一种可抑制对被处理体的含有钨的配线等造成的由腐蚀所引起的损伤,且自被处理体的表面有效率地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的处理方法包括如下步骤:在使用含有铁离子及过氧化物的组合物对含有钨作为配线材料的配线基板进行化学机械研磨后,使用半导体处理用组合物进行处理,所述半导体处理用组合物含有具有两个以上的选自由三级氨基及其盐所组成的群组中的至少一种基的化合物(A)与溶解参数为10以上的水溶性化合物(B),且pH值为2~7。

Patent Agency Ranking