公开(公告)号：CN100492588C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200580005118.2

申请日：2005-05-19

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 宫松隆 ,  根本宏明 ,  王勇

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在浸液曝光方法中，折射率大于纯水，防止光致抗蚀膜或其上层膜成分的洗脱或溶解，能够抑制抗蚀图案生成时的缺陷的浸液曝光用液体、以及利用该液体的浸液曝光方法。一种浸液用曝光液体，其在通过投影光学系统的透镜和基板之间充满的液体进行曝光的浸液曝光装置或浸液曝光方法中使用，在浸液曝光装置工作的温度区域内是液体，是包含脂环烃化合物或在环结构中含有硅原子的环烃化合物。

公开(公告)号：CN1943013A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580005118.2

申请日：2005-05-19

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 宫松隆 ,  根本宏明 ,  王勇

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在浸液曝光方法中，折射率大于纯水，防止光致抗蚀膜或其上层膜成分的洗脱或溶解，能够抑制抗蚀图案生成时的缺陷的浸液曝光用液体、以及利用该液体的浸液曝光方法。一种浸液用曝光液体，其在通过投影光学系统的透镜和基板之间充满的液体进行曝光的浸液曝光装置或浸液曝光方法中使用，在浸液曝光装置工作的温度区域内是液体，是包含脂环烃化合物或在环结构中含有硅原子的环烃化合物。