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公开(公告)号：CN104272461B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201380024133.6
申请日：2013-04-23
Applicant: IMEC 非营利协会 , 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor： R·穆勒
IPC: H01L29/66 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618
Abstract: 一种用于增加预定位置处金属氧化物半导体层电导率的方法，其中该方法包括：在预定位置处提供与金属氧化物半导体层物理接触的还原剂，并诱导还原剂和金属氧化物半导体层之间的化学还原反应，藉此影响预定位置处金属氧化物半导体层的化学组份；以及该方法的应用。
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公开(公告)号：CN104272461A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380024133.6
申请日：2013-04-23
Applicant: IMEC非营利协会 , 荷兰应用自然科学研究组织TNO
Inventor： R·穆勒
IPC: H01L29/66 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618
Abstract: 一种用于增加预定位置处金属氧化物半导体层电导率的方法，其中该方法包括：在预定位置处提供与金属氧化物半导体层物理接触的还原剂，并诱导还原剂和金属氧化物半导体层之间的化学还原反应，藉此影响预定位置处金属氧化物半导体层的化学组份；以及该方法的应用。
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公开(公告)号：CN105409003A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041709.4
申请日：2014-06-11
Applicant: IMEC非营利协会 , 荷兰应用自然科学研究组织TNO , 鲁汶天主教大学研究开发部
IPC: H01L29/66 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 本公开提供一种用于改善金属氧化物半导体层在预定位置处的导电率的方法。该方法包括：在基板上提供金属氧化物半导体层；借助原子层沉积在金属氧化物半导体层的顶部上提供金属氧化物层，其中该金属氧化物层在预定位置与金属氧化物半导体层物理接触。惊奇地发现该方法导致金属氧化物半导体层在预定位置处有增加的导电率。本公开的方法可有利地用在针对自对准顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造过程中，以改善源极和漏极区域中的导电率。
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公开(公告)号：CN105409003B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201480041709.4
申请日：2014-06-11
Applicant: IMEC , 非营利协会 , 荷兰应用自然科学研究组织TNO , 鲁汶天主教大学研究开发部
IPC: H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 本公开提供一种用于改善金属氧化物半导体层在预定位置处的导电率的方法。该方法包括：在基板上提供金属氧化物半导体层；借助原子层沉积在金属氧化物半导体层的顶部上提供金属氧化物层，其中该金属氧化物层在预定位置与金属氧化物半导体层物理接触。惊奇地发现该方法导致金属氧化物半导体层在预定位置处有增加的导电率。本公开的方法可有利地用在针对自对准顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造过程中，以改善源极和漏极区域中的导电率。
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