公开(公告)号：CN1849183A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480026073.2

申请日：2004-09-10

Applicant: FSI国际公司

Inventor： K·K·克里斯滕森

IPC: B08B3/12 ,  H01L21/00 ,  B01J19/10

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/12 ,  G10K11/20

Abstract: 用于处理半导体晶片的设备和方法。在一个实施方案中，该设备包括：一浸没处理容器(10)，在该浸没处理容器中，在处理期间一个或多个晶片(16)设置在处理液(18)中；至少一个声源(22)，它与处理液(18)声学耦合并且在处理期间在装在处理容器(10)中的处理液(18)中产生出一声场；以及一声扩散系统(28)，它包括多个按照有效地使从声源(22)传送给处理液(18)的声能扩散的方式设置的声扩散元件。在另一个实施方案中，该声扩散系统(28)包括至少一个按照有效地减小在处理液(18)中的声能干涉的方式设置的定向相位调制元件。本发明还描述了相关的方法。

公开(公告)号：CN101900956A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010213329.8

申请日：2006-11-22

Applicant: FSI国际公司

Inventor： K·K·克里斯滕森 ,  R·J·哈尼斯塔德 ,  P·A·卢瑟 ,  T·J·瓦格纳

IPC: G03F7/42

CPC classification number: B05B1/00 ,  B08B3/08 ,  B08B7/00 ,  B08B2230/01 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708

Abstract: 从基材(18)除去材料优选光致抗蚀剂的方法包括：以有效基本上均匀涂覆该材料涂覆的基材的量将包含硫酸和/或其干燥物质和前体并具有不大于5∶1的水/硫酸摩尔比的液体硫酸组合物散布到该材料涂覆的基材上。优选地，在该液体硫酸组合物的散布之前、期间或之后，将基材加热到至少大约90℃的温度。在该基材处于至少大约90℃的温度下后，将该液体硫酸组合物暴露到水蒸气中，该水蒸气的量有效将该液体硫酸组合物的温度增加到大于该液体硫酸组合物在暴露到该水蒸气中之前的温度。然后优选冲洗该基材以除去该材料。

公开(公告)号：CN101312794B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680043710.6

申请日：2006-11-22

Applicant: FSI国际公司

Inventor： K·K·克里斯滕森 ,  R·J·哈尼斯塔德 ,  P·A·卢瑟 ,  T·J·瓦格纳

IPC: B08B3/08 ,  B08B7/00 ,  G03F7/42

CPC classification number: B05B1/00 ,  B08B3/08 ,  B08B7/00 ,  B08B2230/01 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708

Abstract: 从基材(18)除去材料优选光致抗蚀剂的方法包括：以有效基本上均匀涂覆该材料涂覆的基材的量将包含硫酸和/或其干燥物质和前体并具有不大于5∶1的水/硫酸摩尔比的液体硫酸组合物散布到该材料涂覆的基材上。优选地，在该液体硫酸组合物的散布之前、期间或之后，将基材加热到至少大约90℃的温度。在该基材处于至少大约90℃的温度下后，将该液体硫酸组合物暴露到水蒸汽中，该水蒸汽的量有效将该液体硫酸组合物的温度增加到大于该液体硫酸组合物在暴露到该水蒸汽中之前的温度。然后优选冲洗该基材以除去该材料。

公开(公告)号：CN101312794A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043710.6

申请日：2006-11-22

Applicant: FSI国际公司

Inventor： K·K·克里斯滕森 ,  R·J·哈尼斯塔德 ,  P·A·卢瑟 ,  T·J·瓦格纳

IPC: B08B3/08 ,  B08B7/00 ,  G03F7/42

CPC classification number: B05B1/00 ,  B08B3/08 ,  B08B7/00 ,  B08B2230/01 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708

Abstract: 从基材(18)除去材料优选光致抗蚀剂的方法包括：以有效基本上均匀涂覆该材料涂覆的基材的量将包含硫酸和/或其干燥物质和前体并具有不大于5∶1的水/硫酸摩尔比的液体硫酸组合物散布到该材料涂覆的基材上。优选地，在该液体硫酸组合物的散布之前、期间或之后，将基材加热到至少大约90℃的温度。在该基材处于至少大约90℃的温度下后，将该液体硫酸组合物暴露到水蒸汽中，该水蒸汽的量有效将该液体硫酸组合物的温度增加到大于该液体硫酸组合物在暴露到该水蒸汽中之前的温度。然后优选冲洗该基材以除去该材料。