公开(公告)号：CN105264635A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201380074020.7

申请日：2013-12-30

Applicant: FEI公司

Inventor： S.斯通 ,  S.H.李 ,  J.布拉克伍德 ,  M.施米德 ,  H.H.金

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/2814 ,  H01J2237/31745

Abstract: 一种用于利用带电粒子束分析样本的方法，所述方法包括将束引导向样本表面；研磨表面以暴露在样本中的第二表面，其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度；将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像；通过检测电子束与第二表面的相互作用,形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像；将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。提供了一种用于改进的基准和在纳米级三维结构中形成确定暴露的特征的深度的方法。

公开(公告)号：CN105103270A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201380074003.3

申请日：2013-12-30

Applicant: FEI公司

Inventor： M.施米特 ,  J.布拉克伍德 ,  S.斯通 ,  S.H.李 ,  R.凯利 ,  T.兰丁

IPC: H01L21/205

CPC classification number: G01N1/32 ,  G01N1/28 ,  H01L21/30655

Abstract: 提供了一种用于以减少或防止人造产物的方式准备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。离子束研磨使用块体研磨工艺暴露工件的横截面。当从暴露的横截面移除小量的材料的时,将沉积前驱体气体引导向样本表面，沉积前驱体产生更均匀的横截面。实施例对于准备用于具有不同硬度的材料的层的样本的SEM观察的横截面是有用的。实施例对于薄TEM样本的准备是有用的。

公开(公告)号：CN103913363A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310747134.5

申请日：2013-12-31

Applicant: FEI公司

Inventor： M.施米特 ,  J.布拉克伍德 ,  S.斯通 ,  S.H.李 ,  R.凯利

IPC: G01N1/32

CPC classification number: G01N1/32 ,  G01N1/28 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明涉及一种用于制备用于成像的样本的方法。提供用于以降低或防止人造产物的方式制备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。仅在最终研磨之前或在其期间，使用带电粒子束沉积将材料沉积在样本上，这导致无人造产物的表面。实施例对于制备用于具有不同硬度的材料层的样本的SEM观察的横断面是有用的。实施例对于制备薄TEM样本是有用的。