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公开(公告)号：CN105190926B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201480026081.0
申请日：2014-03-06
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L51/30 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供不仅具有高迁移率、而且具有高性能稳定性的有机薄膜以及有机晶体管。更具体而言，提供有机薄膜、使用该有机薄膜而成的有机半导体装置、以及使用该有机薄膜作为有机半导体层的有机晶体管，该有机薄膜的特征在于，其为由包含具有芳香族稠环系结构的电荷传输性分子单元A、和作为侧链的单元B的化合物形成的膜，该化合物具有双分子层结构而形成所述有机薄膜。
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公开(公告)号：CN105190926A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480026081.0
申请日：2014-03-06
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L51/30 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0074 , C09K19/3491 , H01L51/0026 , H01L51/0068 , H01L51/0076 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供不仅具有高迁移率、而且具有高性能稳定性的有机薄膜以及有机晶体管。更具体而言，提供有机薄膜、使用该有机薄膜而成的有机半导体装置、以及使用该有机薄膜作为有机半导体层的有机晶体管，该有机薄膜的特征在于，其为由包含具有芳香族稠环系结构的电荷传输性分子单元A、和作为侧链的单元B的化合物形成的膜，该化合物具有双分子层结构而形成所述有机薄膜。
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公开(公告)号：CN103534830B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201280018838.2
申请日：2012-03-09
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , DIC油墨株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0052 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0076
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种不仅显示出液晶性而且还显示出高电子迁移率的有机半导体材料。本发明的有机半导体材料至少包含具有芳族稠环结构的电荷输送性分子单元A、以及通过单键与该单元相连的环状结构单元B，且上述单元A和单元B中的至少一个单元具有作为侧链的单元C，其特征在于，该有机半导体材料显示N相、SmA相和SmC相以外的液晶相。
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公开(公告)号：CN103534830A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280018838.2
申请日：2012-03-09
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , DIC油墨株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0052 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0076
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种不仅显示出液晶性而且还显示出高电子迁移率的有机半导体材料。本发明的有机半导体材料至少包含具有芳族稠环结构的电荷输送性分子单元A、以及通过单键与该单元相连的环状结构单元B，且上述单元A和单元B中的至少一个单元具有作为侧链的单元C，其特征在于，该有机半导体材料显示N相、SmA相和SmC相以外的液晶相。
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