公开(公告)号：CN102105987B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200980128991.9

申请日：2009-06-29

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 高武正义 ,  笠井正纪 ,  米原祥友 ,  高野圣史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 本发明提供在使用有机半导体的有机晶体管中，进一步提高该晶体管特性的有机晶体管及其制造方法。第一，提供一种有机晶体管，其特征在于，该有机晶体管在基板(a)上具有：栅极(b)、绝缘层(c)、形成于与该绝缘层接触的有机半导体层(d)的沟道形成区域和源极/漏极(e)，其中，在该有机半导体层中含有氟系化合物(表面活性剂)。第二，提供一种有机晶体管的制造方法，其特征在于，其为有机晶体管的制造方法，其中，具有如下工序：通过含有氟系表面活性剂的有机半导体溶液的印刷或涂布，在绝缘层上形成有机半导体层(d)的工序；或，通过印刷或涂布，在含有氟系表面活性剂的有机半导体层(d)上形成绝缘层的工序。

公开(公告)号：CN102378794A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080014970.7

申请日：2010-03-30

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 高武正义 ,  笠井正纪 ,  米原祥友 ,  高野圣史 ,  所宽树

IPC: C09D11/00 ,  B41M1/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L51/0007

Abstract: 本发明提供一种最适合于微接触印刷法、反转印刷法等使用防液性的转印用基版来转印图案从而形成有机晶体管的方法的墨，即，提供一种能够在防液性的转印用基版表面形成均匀的墨涂膜、且墨干燥膜或半干燥膜能够容易通过转印基版而转印到被转印基材上的有机半导体墨组合物。此外，提供使用了上述有机半导体墨组合物的有机晶体管的有机半导体图案的形成方法。本发明涉及一种有机半导体墨组合物，其特征在于，其为用于将在防液性的转印用基版上形成的墨层转印到印刷基材上从而得到所期望的图案的有机半导体墨组合物，其含有有机半导体、有机溶剂和氟系表面活性剂。

公开(公告)号：CN102105987A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128991.9

申请日：2009-06-29

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 高武正义 ,  笠井正纪 ,  米原祥友 ,  高野圣史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 本发明提供在使用有机半导体的有机晶体管中，进一步提高该晶体管特性的有机晶体管及其制造方法。第一，提供一种有机晶体管，其特征在于，该有机晶体管在基板(a)上具有：栅极(b)、绝缘层(c)、形成于与该绝缘层接触的有机半导体层(d)的沟道形成区域和源极/漏极(e)，其中，在该有机半导体层中含有氟系化合物(表面活性剂)。第二，提供一种有机晶体管的制造方法，其特征在于，其为有机晶体管的制造方法，其中，具有如下工序：通过含有氟系表面活性剂的有机半导体溶液的印刷或涂布，在绝缘层上形成有机半导体层(d)的工序；或，通过印刷或涂布，在含有氟系表面活性剂的有机半导体层(d)上形成绝缘层的工序。