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公开(公告)号:CN101965655B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN200980106499.1
申请日:2009-02-17
Applicant: CYMBET公司
Inventor: 斯图尔特·K·莎士比亚 , 斯坦利·J·斯塔尼斯洛斯基 , 德布拉·A·霍姆奎斯特 , 达雷恩·克勒尔斯 , 马修·弗拉特兰德 , 西奥多·L·弗莱默 , 史蒂文·J·迈克金利
Abstract: 电池包括一个阳极集流体,另一个是阴极集流体,阴极材料位于阴极集流体上;电解质层具有周界,电解质将阴极材料与阳极集流体分开;绝缘层具有周界,该绝缘层与电解质层一起将阳极集流体与阴极材料和阴极集流体分开。第一钝化层(46)通常至少覆盖在阴极材料的周界、电解质的周界以及绝缘层的周界之上,第一钝化层(46)电耦接至第一集流体并且围绕第一集流体的限定区域形成连续的金属对金属密封,第一钝化层(46)具有通孔开口(50)。第二钝化层(53)通过第一钝化层(46)的通孔开口(50)电耦接至第二集流体。
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公开(公告)号:CN104823321B
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201380062314.8
申请日:2013-10-15
Applicant: CYMBET公司
Inventor: 斯图尔特·K·莎士比亚 , 斯坦利·J·斯塔尼斯洛斯基 , 马修·E·弗拉特兰德 , 斯蒂芬·W·唐尼 , 摩根·J·托马
IPC: H01M10/0585 , H01M2/10
CPC classification number: H01M10/0585 , H01M2/10 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/66 , H01M4/661 , H01M6/186 , H01M6/188 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2220/30 , H01M2300/0068
Abstract: 一种薄膜电池,包括玻璃或陶瓷基底,该基底的热膨胀系数(CTE)为约7ppm/K至约10ppm/K;连续的金属或金属氧化物阴极集流体,其厚度小于约3μm,该阴极集流体位于该玻璃或陶瓷基底之上;阴极材料层在阴极集流体之上,该阴极材料层包含锂过渡金属氧化物,该锂过渡金属氧化物是厚度为约10μm至约80μm的连续膜;位于该阴极材料层之上的LiPON电解质层,其厚度为约0.5μm至约4μm;以及具有任意阳极材料的阳极集流体。对该电池的制造和使用方法进行了描述。
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公开(公告)号:CN101965655A
公开(公告)日:2011-02-02
申请号:CN200980106499.1
申请日:2009-02-17
Applicant: CYMBET公司
Inventor: 斯图尔特·K·莎士比亚 , 斯坦利·J·斯塔尼斯洛斯基 , 德布拉·A·霍姆奎斯特 , 达雷恩·克勒尔斯 , 马修·弗拉特兰德 , 西奥多·L·弗莱默 , 史蒂文·J·迈克金利
Abstract: 电池包括一个阳极集流体,另一个是阴极集流体,阴极材料位于阴极集流体上;电解质层具有周界,电解质将阴极材料与阳极集流体分开;绝缘层具有周界,该绝缘层与电解质层一起将阳极集流体与阴极材料和阴极集流体分开。第一钝化层(46)通常至少覆盖在阴极材料的周界、电解质的周界以及绝缘层的周界之上,第一钝化层(46)电耦接至第一集流体并且围绕第一集流体的限定区域形成连续的金属对金属密封,第一钝化层(46)具有通孔开口(50)。第二钝化层(53)通过第一钝化层(46)的通孔开口(50)电耦接至第二集流体。
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公开(公告)号:CN104823321A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201380062314.8
申请日:2013-10-15
Applicant: CYMBET公司
Inventor: 斯图尔特·K·莎士比亚 , 斯坦利·J·斯塔尼斯洛斯基 , 马修·E·弗拉特兰德 , 斯蒂芬·W·唐尼 , 摩根·J·托马
IPC: H01M10/0585 , H01M2/10
CPC classification number: H01M10/0585 , H01M2/10 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/66 , H01M4/661 , H01M6/186 , H01M6/188 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2220/30 , H01M2300/0068
Abstract: 一种薄膜电池,包括玻璃或陶瓷基底,该基底的热膨胀系数(CTE)为约7ppm/°K至约10ppm/°K;连续的金属或金属氧化物阴极集流体,其厚度小于约3μm,该阴极集流体位于该玻璃或陶瓷基底之上;阴极材料层在阴极集流体之上,该阴极材料层包含锂过渡金属氧化物,该锂过渡金属氧化物是厚度为约10μm至约80μm的连续膜;位于该阴极材料层之上的LiPON电解质层,其厚度为约0.5μm至约4μm;以及具有任意阳极材料的阳极集流体。对该电池的制造和使用方法进行了描述。
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