公开(公告)号：CN112119335A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201980032650.5

申请日：2019-05-13

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 大原盛挥 ,  武信省太郎 ,  和田直哉

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/30

Abstract: 本发明涉及一种聚合物光波导，具备：芯；折射率比上述芯低且存在于上述芯的周围的下包层、以及折射率比上述芯低且存在于与上述下包层相反侧的芯周围的上包层，其中，上述聚合物光波导沿着光的传播方向具有：不存在上包层而芯及该芯的周边的下包层露出的耦合部；和上述芯被下包层和上包层覆盖的光波导部，上述聚合物光波导沿着光的传播方向具有芯宽度不同的部位，在将芯宽度最窄的部位a的芯宽度设为Wa(μm)，将上述部位a的芯高度设为Ha(μm)时，上述Ha为1.3μm以上且4.5μm以下，Ha/Wa为1.15以下。

公开(公告)号：CN112119335B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201980032650.5

申请日：2019-05-13

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 大原盛挥 ,  武信省太郎 ,  和田直哉

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/30

Abstract: 本发明涉及一种聚合物光波导，具备：芯；折射率比上述芯低且存在于上述芯的周围的下包层、以及折射率比上述芯低且存在于与上述下包层相反侧的芯周围的上包层，其中，上述聚合物光波导沿着光的传播方向具有：不存在上包层而芯及该芯的周边的下包层露出的耦合部；和上述芯被下包层和上包层覆盖的光波导部，上述聚合物光波导沿着光的传播方向具有芯宽度不同的部位，在将芯宽度最窄的部位a的芯宽度设为Wa(μm)，将上述部位a的芯高度设为Ha(μm)时，上述Ha为1.3μm以上且4.5μm以下，Ha/Wa为1.15以下。