公开(公告)号：CN107921478B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201680046712.4

申请日：2016-09-02

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 唐纳德·威廉·基德韦尔 ,  拉温德拉·谢诺伊 ,  乔恩·拉斯特

IPC分类号： B06B1/02 ,  B06B1/06

摘要： 本发明呈现用于高密度微机电系统MEMS的方法、系统、计算机可读媒体以及设备。在一些实施例中，用于在衬底上制造微机电装置的方法可包括蚀刻释放通孔穿过所述装置的层。所述方法可进一步包括使用所述释放通孔作为导管在所述装置的所述层中产生腔以接入所述腔的所需位置，所述腔实现所述装置的变换器的移动。所述方法可随后包括将低阻抗导电材料沉积到所述释放通孔中以形成穿过所述层的导电路径。最后，所述方法可包括将所述导电材料电耦合到所述变换器的电极。

公开(公告)号：CN107921478A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680046712.4

申请日：2016-09-02

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 唐纳德·威廉·基德韦尔 ,  拉温德拉·谢诺伊 ,  乔恩·拉斯特

IPC分类号： B06B1/02 ,  B06B1/06

CPC分类号： B06B1/0292 ,  B06B1/0622 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0097 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00214 ,  H01L41/332

摘要： 本发明呈现用于高密度微机电系统MEMS的方法、系统、计算机可读媒体以及设备。在一些实施例中，用于在衬底上制造微机电装置的方法可包括蚀刻释放通孔穿过所述装置的层。所述方法可进一步包括使用所述释放通孔作为导管在所述装置的所述层中产生腔以接入所述腔的所需位置，所述腔实现所述装置的变换器的移动。所述方法可随后包括将低阻抗导电材料沉积到所述释放通孔中以形成穿过所述层的导电路径。最后，所述方法可包括将所述导电材料电耦合到所述变换器的电极。

公开(公告)号：CN108701751A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012648.2

申请日：2017-02-28

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 唐纳德·威廉·基德韦尔 ,  拉温德拉·谢诺伊 ,  乔恩·拉斯特

IPC分类号： H01L41/09 ,  B06B1/06 ,  H01L41/313 ,  H01L41/331

CPC分类号： B06B1/0622 ,  A61B8/4483 ,  H01L27/20 ,  H01L41/0472 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/0536 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L41/314 ,  H01L41/33

摘要： 公开柔性PMUT阵列和其制造方法的实施例。在一个实施例中，一种压电式微机械超声换能器PMUT阵列包括多个PMUT，其中所述PMUT的柔性阵列中的每一PMUT包含：被配置成支撑所述PMUT的第一聚合物层，被配置成对所述PMUT提供平面化的机械层，第一电极，第二电极，被配置成分离所述第一电极与所述第二电极的压电层，在所述第一电极、压电材料和所述第二电极上的被配置成路由电信号的图案，和被配置成调整所述PMUT的频率响应的腔体。