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公开(公告)号:CN115605722A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202180034128.8
申请日:2021-04-08
Applicant: 高丽大学校产学协力团(KR)
Abstract: 本发明涉及最大限度地减少吸收太阳光谱的光并通过将元件下方的热量辐射到外部来对物质表面或物质下方的内部温度进行冷却的技术构思,尤其,涉及对于入射太阳光具有高透射率或高反射率且对于相应大气窗口区间的8μm至13μm波长范围内选择性地获得高吸收率的元件。
公开(公告)号:CN115605722A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202180034128.8
申请日:2021-04-08
Applicant: 高丽大学校产学协力团(KR)
Abstract: 本发明涉及最大限度地减少吸收太阳光谱的光并通过将元件下方的热量辐射到外部来对物质表面或物质下方的内部温度进行冷却的技术构思,尤其,涉及对于入射太阳光具有高透射率或高反射率且对于相应大气窗口区间的8μm至13μm波长范围内选择性地获得高吸收率的元件。