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发明公开
一种在原位形成纳米结构的方法和装置无效复审申请

公开(公告)号：CN1762789A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200410085280.7

申请日：2004-10-18

申请人： 香港理工大学

发明人： 李毅 , 吴希俊 , 徐涛 , 吴大雄 , 胡军岩

IPC分类号： B82B3/00

摘要： 一种在原位形成纳米结构的装置，包括：一隔离室(1)，其内部充有气体；一加热器(11)，设置在该隔离室的下部；待蒸发的物质(9)，设置在加热器之上；一基材(4)，设置在该隔离室上部、距该待蒸发物质和加热器一定距离的位置处；和一冷却室(2)，紧贴该基材设置在该基材的上方，用于对该基材进行冷却；其中当该加热器将该待蒸发的物质加热到沸点时，该待蒸发物质转变为气态，在该隔离室内部气体的承载下，向上运动，在接触到温度较低的该基材表面时，冷凝形成固态并沉淀于基材的表面，从而在基材的表面形成纳米结构。