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公开(公告)号：CN115936991A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211642292.X
申请日：2022-12-20
Applicant: 首都师范大学
IPC: G06T3/40 , G06T17/00 , G06N3/048 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种多角度深度残差网络及其三维超分辨重建系统和方法，其包括：上采样单元，用于对输入数据进行上采样操作，将输入数据的空间维度进行提升，获得预设通道和尺寸的上采样特征图；第一卷积单元，用于对上采样特征图进行卷积操作和修正线性激活函数，获得预设通道和尺寸的中间特征图；残差单元，用于对中间特征图进行多个卷积操作和修正线性激活函数，并将其输出与中间特征图进行相加，获得最终特征图；第二卷积单元，用于对最终特征图进行卷积操作，将最终特征图的角度维度进行提升，获得预设通道和尺寸的用于重建的数据。本发明能够实现三维超分辨CT重建，提升图像重建分辨率与质量。
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公开(公告)号：CN115496823A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211176012.0
申请日：2022-09-26
Applicant: 首都师范大学
Abstract: 本发明公开了一种利用CT扫描数据估计能谱的方法及装置，其包括：步骤1，结合多能X射线穿过模体后强度I的非线性模型，构建关于X射线能谱的非线性方程；步骤2，通过最小化估计的衰减数据AS和原始衰减数据I之间误差，将X射线能谱的非线性方程转化为谱估计优化问题。结合重建图像无硬化伪影的信息，将重建的离散模体图像F的全变分最小设置为谱估计优化问题的约束条件s.tmin||F||TV；步骤3，求解谱估计优化问题，获得待估计能谱S。本发明利用了大量的CT衰减数据，有利于提高能谱估计鲁棒性，而且在能谱估计中考虑了重建图像无硬化伪影这一信息，其能够提高能谱估计的准确性。
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公开(公告)号：CN112862913A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110119200.9
申请日：2021-01-28
Applicant: 首都师范大学
Abstract: 本发明公开了一种多尺度带孔密集重建网络及其有限角CT成像方法，该网络包括若干个MSDD模块，每一个MSDD模块包括：第一联合代数重建模块SART1，其用于对输入的投影数据及第一初值图像进行重建，获得并输出第一重建图像；第一多尺度带孔密集卷积神经网络MSDD‑CNN1，其用于接收第一重建图像，并对第一重建图像进行伪影校正，获得并输出第一校正图像；第二联合代数重建模块SART2，其用于接收第一校正图像，并对投影数据及第二初值图像进行重建，获得并输出第二重建图像；其中，第二初值图像为第一校正图像；第二多尺度带孔密集卷积神经网络MSDD‑CNN2，其用于接收合并后的第一校正图像和第二重建图像，并对合并的第一校正图像和第二重建图像进行伪影校正，获得并输出第二校正图像。
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公开(公告)号：CN109262377A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811358652.7
申请日：2018-11-15
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于钝化CsI(TI)晶体表面缺陷的抛光工艺，其包括：步骤1，清洁CsI(TI)晶体；步骤2，吹干CsI(TI)晶体；步骤3，将CsI(TI)晶体放入离子体加工设备的反应室中；步骤4，利用等离子体气体加工设备对CsI(TI)晶体加工处理，其包括：步骤41，往离子体加工设备输入氦气、六氟化硫与四氟化碳的混合气体，氦气和混合气体形成等离子体气体；步骤42，将等离子体气体喷射到CsI(TI)晶体的表面；步骤5，返回步骤4，循环加工处理已加工处理过的CsI(TI)晶体；步骤6，干燥处理经由步骤5处理好的CsI(TI)晶体放入干燥箱。本发明能够在保持面形精度与表面粗糙度的前提下，高效稳定地去除CsI(TI)晶体表面材料，钝化表面划痕，从而有效地提升CsI(TI)晶体的抗辐照损伤能力。
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公开(公告)号：CN101283913B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810113846.0
申请日：2008-05-30
Applicant: 首都师范大学
Abstract: 一种基于GPU硬件加速的CT图像重建方法，属于X射线CT技术领域。本发明采用基于GPU可编程管线实现CT图像重建的加速，CT数据预处理、CT数据滤波、CT图像重建的正投影运算以及CT图像重建的反投影运算均基于GPU可编程管线实现。针对目前GPU显存不足以及内存到显存数据传输速度慢的瓶颈问题，提出了对大数据处理采用分块处理方法，与已有方法不同，本分块方法对每块待重建体重建时只需要用到部分投影数据，减少了数据传输，从而可提高整个体重建速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112862913B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110119200.9
申请日：2021-01-28
Applicant: 首都师范大学
IPC: G06T11/00 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种多尺度带孔密集重建网络及其有限角CT成像方法，该网络包括若干个MSDD模块，每一个MSDD模块包括：第一联合代数重建模块SART1，其用于对输入的投影数据及第一初值图像进行重建，获得并输出第一重建图像；第一多尺度带孔密集卷积神经网络MSDD‑CNN1，其用于接收第一重建图像，并对第一重建图像进行伪影校正，获得并输出第一校正图像；第二联合代数重建模块SART2，其用于接收第一校正图像，并对投影数据及第二初值图像进行重建，获得并输出第二重建图像；其中，第二初值图像为第一校正图像；第二多尺度带孔密集卷积神经网络MSDD‑CNN2，其用于接收合并后的第一校正图像和第二重建图像，并对合并的第一校正图像和第二重建图像进行伪影校正，获得并输出第二校正图像。
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公开(公告)号：CN115482307A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211160656.0
申请日：2022-09-22
Applicant: 首都师范大学
IPC: G06T11/00 , G01N23/2273 , G01N23/046
Abstract: 本发明公开了一种基于二次曲面模型的双能谱CT基材料分解方法和装置，该方法包括：步骤一，构建双能谱多色投影方程组；步骤二，基于双能谱多色投影方程组计算被测物体的两种基材料的密度函数。本发明提供了一种基于二次曲面方程的双能谱CT成像模型，利用标定模体得到该模型中的系数，针对该模型的求解，本发明结合二次曲面模型，将多色投影方程在每次迭代中的当前点以其一阶泰勒展开做线性化近似，在投影数据几何一致的情况下，对高、低能两个线性化后投影方程直接联立求解，最终得到分解的基材料图像。
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公开(公告)号：CN111650225B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010499959.X
申请日：2020-06-04
Applicant: 首都师范大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明公开了一种岩芯数字化扫描系统，岩芯数字化扫描系统包括岩芯进给装置、平面线扫描装置和X射线三维CT装置，岩芯进给装置包括岩芯支撑件，平面线扫描装置设在岩芯运动路径上方，X射线三维CT装置包括转盘，转盘有为岩芯支撑件在设定范围作往复直线运动提供通道的通孔，转盘第一侧面设X射线源和X射线探测器，用于获取岩芯三维数字化数据，转盘第二侧面设电液混合滑环，电液混合滑环中心轴线与转盘的旋转轴线位于同一条直线上，电液混合滑环的转子连接到转盘，从动于转盘，电液混合滑环在随转盘转动过程中为X射线三维CT装置提供电力、信号和冷却液的传输。本发明可以同时提供岩芯的三维数字化信息以及表面图像信息，且扫描效率高，易操作。
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公开(公告)号：CN112415030B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202011296102.4
申请日：2020-11-18
Applicant: 首都师范大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明公开了一种X射线微分相移CT的感兴趣区域重建方法，所述方法包括：步骤1，通过光栅干涉仪系统获取相移微分投影Φ(x,y)和吸收投影pabs(x,y)；步骤2，重建Λδ(x,y)，δ(x,y)表示点X＝(x,y)处的相移系数；步骤3，重建Λ‑1β(x,y)，β(x,y)表示点X处的吸收系数；步骤4，采用Λδ(x,y)和Λ‑1β(x,y)的多项式组合来近似重建物质的相移系数δ(x,y)。本发明重建方法能够不受截断数据的影响重建图像的内部感兴趣区域。
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公开(公告)号：CN109100369B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810949409.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 首都师范大学 , 山东非金属材料研究所
IPC: G01N21/952
Abstract: 本发明公开了一种圆柱形组合工件的缺陷检测定位表征方法，该方法包括如下步骤：步骤1，对圆柱组合工件按照圆轨迹或者螺旋轨迹进行CT扫描，圆柱组合工件包括围绕中心轴线分割而成的N瓣横截面呈扇形的工件，扫描的初始时刻，一条拼接缝正对射线源；步骤2，重建CT图像；步骤3，预处理CT图像；步骤4，确定每一扇形切片层中的缺陷和拼接缝；步骤5，对每一瓣工件建立一个柱状坐标系；步骤6，确定和记录步骤53中的各个缺陷在相应柱状坐标系中的位置。本发明方法根据圆柱形组合工件的自身结构形态，建立柱状坐标系与相应的坐标区域分离规则，可不依赖外部参照物，仅仅使用工件自身信息进行缺陷定位，易于表征缺陷在工件中的实际位置。
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