公开(公告)号：CN115852351A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211539446.2

申请日：2022-12-02

Applicant: 青岛固锝电子有限公司

Inventor： 董珂 ,  李增强

IPC: C23C22/08 ,  C23F11/14

Abstract: 本发明公开了一种具有缓释效果的铜抗氧化剂及其制备方法，由以下质量分数的原料制成：中空介孔二氧化硅负载苯并三氮唑6‑10wt％、非离子表面活性剂4‑5wt％、六偏磷酸钠0.3‑0.8wt％、复合缓蚀剂5‑8wt％、硫代二丙酸二月桂酯0.2‑0.5wt％、肌醇六磷酸1.2‑1.8wt％、有机溶剂28‑32wt％，余量为去离子水；本发明抗氧化剂在半导体电子元器件引脚/框架的铜，生成结构规整、不溶而致密的保护膜薄膜，通过本发明中各组分的协同促进作用，能够与半导体电子元器件引脚/框架的铜表面发生强烈的化学结合反应，形成的保护薄膜的性能大幅度增加，能够有效阻止半导体电子元器件引脚/框架的铜的阳极反应。

公开(公告)号：CN115852351B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202211539446.2

申请日：2022-12-02

Applicant: 青岛固锝电子有限公司

Inventor： 董珂 ,  李增强

IPC: C23C22/08 ,  C23F11/14

Abstract: 本发明公开了一种具有缓蚀效果的铜抗氧化剂及其制备方法，由以下质量分数的原料制成：中空介孔二氧化硅负载苯并三氮唑6‑10wt％、非离子表面活性剂4‑5wt％、六偏磷酸钠0.3‑0.8wt％、复合缓蚀剂5‑8wt％、硫代二丙酸二月桂酯0.2‑0.5wt％、肌醇六磷酸1.2‑1.8wt％、有机溶剂28‑32wt％，余量为去离子水；本发明抗氧化剂在半导体电子元器件引脚/框架的铜，生成结构规整、不溶而致密的保护膜薄膜，通过本发明中各组分的协同促进作用，能够与半导体电子元器件引脚/框架的铜表面发生强烈的化学结合反应，形成的保护薄膜的性能大幅度增加，能够有效阻止半导体电子元器件引脚/框架的铜的阳极反应。