公开(公告)号：CN1777697B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200480011004.4

申请日：2004-03-01

申请人： 集勒思公司

发明人： 金基佑 ,  安若简·司瑞瓦斯塔瓦 ,  脱马斯·E·瑟德尔 ,  阿纳·隆德纲 ,  萨散冈·若曼纳瑟恩

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/45527

摘要： 提供了一种工艺，其中晶片被暴露于不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率的第一化学反应前驱体剂量，然后被暴露于第二化学反应前驱体剂量，其中前驱体以提供基本均匀的膜沉积的方式被分散。第二化学反应前驱体剂量可以不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率，也可以足以在晶片上导致饥饿饱和沉积。该工艺可以在前驱体暴露过程之间或一组暴露过程和另一组之间包括净化，也可以不包括净化。

公开(公告)号：CN1777697A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480011004.4

申请日：2004-03-01

申请人： 集勒思公司

发明人： 金基佑 ,  安若简·司瑞瓦斯塔瓦 ,  脱马斯·E·瑟德尔 ,  阿纳·隆德纲 ,  萨散冈·若曼纳瑟恩

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/45527

摘要： 提供了一种工艺，其中晶片被暴露于不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率的第一化学反应前驱体剂量，然后被暴露于第二化学反应前驱体剂量，其中前驱体以提供基本均匀的膜沉积的方式被分散。第二化学反应前驱体剂量可以不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率，也可以足以在晶片上导致饥饿饱和沉积。该工艺可以在前驱体暴露过程之间或一组暴露过程和另一组之间包括净化，也可以不包括净化。