公开(公告)号：CN103109376A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180029458.4

申请日：2011-06-15

Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 ,  加利福尼亚州技术学院

Inventor： 拿单·S·刘易斯 ,  格雷戈里·M·金博尔 ,  马蒂·W·德格鲁特 ,  哈里·A·阿特沃特

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及器件，尤其是光伏器件，其结合有第IIB/VA族半导体如Zn和/或Cd中的一种或多种的磷化物、砷化物和/或锑化物。尤其是，本发明涉及方法，所得到的产品，以及其前体，其中半导体材料的电子性能通过使得第IIB/VA族半导体材料与至少一种含金属的物种(在下文中共反应性物种)反应而改进，所述至少一种含金属的物种与结合至第IIB/VA族半导体中作为晶格取代基的至少一种第VA族物种是充分地共反应性的(应认识到相同的和/或另一种第VA族物种也可以任选地以其他方式如作为掺杂剂等结合至第IIB/VA族半导体中)。

公开(公告)号：CN103109376B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180029458.4

申请日：2011-06-15

Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 ,  加利福尼亚州技术学院

Inventor： 拿单·S·刘易斯 ,  格雷戈里·M·金博尔 ,  马蒂·W·德格鲁特 ,  哈里·A·阿特沃特

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及器件，尤其是光伏器件，其结合有第IIB/VA族半导体如Zn和/或Cd中的一种或多种的磷化物、砷化物和/或锑化物。尤其是，本发明涉及方法，所得到的产品，以及其前体，其中半导体材料的电子性能通过使得第IIB/VA族半导体材料与至少一种含金属的物种(在下文中共反应性物种)反应而改进，所述至少一种含金属的物种与结合至第IIB/VA族半导体中作为晶格取代基的至少一种第VA族物种是充分地共反应性的(应认识到相同的和/或另一种第VA族物种也可以任选地以其他方式如作为掺杂剂等结合至第IIB/VA族半导体中)。