等离子体系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101049053A

    公开(公告)日:2007-10-03

    申请号:CN200580036961.7

    申请日:2005-11-03

    Abstract: 在等离子体处理表面的工艺中,在具有入口和出口的介电壳体内产生非平衡大气压等离子体,通过该壳体工艺气体从入口流向出口。在至少部分由介质材料形成的容管从壳体出口向外延伸,其中容管的末端形成等离子体出口。待处理的表面位于等离子体出口附近,使得表面与等离子体接触并相对于等离子体出口而移动。

    等离子体系统
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101049054A

    公开(公告)日:2007-10-03

    申请号:CN200580037079.4

    申请日:2005-11-03

    Abstract: 通过在使处理气体从外壳的入口经过电极流到出口的同时,将射频高压施加在位于介电外壳内的至少一个电极上,来生成混有雾化表面处理剂的非平衡大气压等离子体。施加的电压高到足以生成至少从电极延伸到外壳的出口的非平衡大气压等离子体。电极可以与用于外壳内的表面处理剂的雾化器结合在一起。电极可以包括放射性材料。要处理的表面可以位于等离子体出口附近,使得该表面与等离子体接触并相对于等离子体出口移动。

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