公开(公告)号：CN115101892A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210845738.2

申请日：2022-07-19

Applicant: 陕西科技大学

Inventor： 王思哲 ,  王鑫源 ,  宋浩杰 ,  贾晓华 ,  杨进 ,  李永 ,  邵丹 ,  冯雷

IPC: H01M50/403 ,  H01M50/417 ,  H01M50/431 ,  C01G49/02 ,  H01M10/052 ,  H01M50/451 ,  H01M50/489

Abstract: 本发明公开了一种原位生长羟基氧化铁改性隔膜的制备方法，包括以下步骤；将聚丙烯隔膜进行等离子体预处理；称取铁源加入到去离子水中，形成Fe3+溶液；加入氟化铵室温下持续搅拌，得到澄清透明的反应溶液；将反应溶液转移到反应釜内胆中，并放入上述处理好的隔膜，在666666℃下水热反应6666h；冷却反应釜到室温后，将所得产物清洗、烘干得到原位生长有羟基氧化铁的改性隔膜；本发明通制备的原位生长羟基氧化铁改性商业聚丙烯隔膜，具有高表面活性的FeOOH构筑了具有顺畅锂离子传输通道的多硫化物穿梭屏障，成功地抑制了多硫化物的溶解穿梭，同时提供了无阻的Li+传输通道，且具有良好的均匀性和结构稳定性，应用于锂硫电池具有优异的电化学性能。