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发明公开
形成Ⅲ族氮化物单晶压电薄膜的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116157998A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180024967.1

申请日：2021-04-16

申请人： 阿库斯蒂斯有限公司

发明人： 克雷格·莫 , 杰弗里·M·莱西

IPC分类号： H03H3/02 , H10N30/85 , H10N30/074

摘要： 一种形成压电薄膜的方法，可以包括在Si衬底的第一表面上沉积材料以提供应力中性模板层。可以将包括Ⅲ族元素和氮的压电薄膜溅射到应力中性模板层上，并且可以处理Si衬底的与第一表面相对的第二表面，以移除Si衬底和应力中性模板层，以提供压电薄膜的保留部分。可以在压电薄膜的保留部分上形成压电谐振器。