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公开(公告)号:CN116868154A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202180091911.8
申请日:2021-12-27
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明所涉及的电极构件能够抑制隔着绝缘间隙而相邻的金属细线的视觉辨认性,能够抑制金属细线的过蚀刻而得到所希望的形状。所述电极构件设置为:在第一电极图案以及第二电极图案的各自中,第一金属细线的第一端部布线夹着绝缘间隙成对,该成对的第一端部布线的第一端面被定位成具有在与第一方向交叉的方向上隔开给定距离而相互对置的部分,在第一电极图案以及第二电极图案的各自中,第二金属细线的第二端部布线隔着绝缘间隙成对,该成对的第二端部布线的第二端面被定位成具有在与第二方向交叉的方向上隔开给定距离而相互对置的部分。
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公开(公告)号:CN111699461A
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201980012085.6
申请日:2019-03-15
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 能够在适当具有绝缘破坏耐性的同时提高透明电极的图案的不可见性的透明电极构件(100)具备:具有透光性的基材(101);和多个第1透明电极(4B),在基材(101)的第1面(S1)上沿着第1方向排列配置,具有透光性,相互电连接,第1透明电极(4B)具备包含由绝缘材料构成的基块(MX)和分散在基块(MX)内的导电性纳米线(NW)的分散层(DL),绝缘层(21)在从第1面(S1)的法线方向观察时不与部分区域(PR)重叠,在将矩形区域(RA)内包含的由导电部(111)以外构成的区域全部为部分区域(PR)的区域设为第1矩形区域(RA1),将矩形区域(RA)内至少包含绝缘层(21)的区域设为第2矩形区域(RA2)的情况下,第1矩形区域(RA1)的由导电部以外构成的区域的占有面积Sa、和第2矩形区域(RA2)的由导电部以外构成的区域的占有面积Sb具有Sa/Sb=1±0.3的关系。
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公开(公告)号:CN107710125B
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201680037521.1
申请日:2016-05-24
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
IPC: G06F3/041 , G02B5/30 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供在触摸传感器上配备有光学功能层而能够抑制反射光的光学特性的降低的层叠结构体、层叠结构体的制造方法以及图像显示装置。本发明的层叠结构体(20)具备触摸传感器(30)、以及设置在触摸传感器上的光学功能层(40),触摸传感器具备基材(31)、以及设置在基材上的透明电极层(32),光学功能层包括对透射光赋予相位差的相位差层、以及设置在相位差层上的直线偏振层(43),光学功能层配置为光学功能层的相位差层侧的面与触摸传感器对置,光学功能层的450nm处的延迟(Re2)与590nm处的延迟(Re1)的比率(RR)小于0.763,基材的慢轴的方向为沿着光学功能层的慢轴的方向。
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公开(公告)号:CN106415463B
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201580028838.4
申请日:2015-06-11
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够通过比较容易的工序来形成使第1电极层与第2电极层彼此绝缘地形成于1张基板的1个面的输入装置的输入装置及其制造方法。为此,在PET膜的基板(10)的1个表面(10a)由ITO层形成第1电极层(11),利用由干膜抗蚀剂等形成的绝缘层(12)覆盖其表面。在绝缘层(12)的表面,通过印刷工序来形成第2电极层(13)。第2电极层(13)由导电性纳米线或导电性纳米管形成。然后,形成与第1电极层(11)导通的第1布线层(15)以及与第2电极层(13)导通的第2布线层(16)。
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公开(公告)号:CN110286436A
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201910738799.7
申请日:2016-05-24
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1333 , G06F3/041 , H01L27/32 , H01L51/52
Abstract: 本发明提供在触摸传感器上配备有光学功能层而能够抑制反射光的光学特性的降低的层叠结构体、层叠结构体的制造方法以及图像显示装置。本发明的层叠结构体(20)具备触摸传感器(30)、以及设置在触摸传感器上的光学功能层(40),触摸传感器具备基材(31)、以及设置在基材上的透明电极层(32),光学功能层包括对透射光赋予相位差的相位差层、以及设置在相位差层上的直线偏振层(43),光学功能层配置为光学功能层的相位差层侧的面与触摸传感器对置,光学功能层的450nm处的延迟(Re2)与590nm处的延迟(Re1)的比率(RR)小于0.763,基材的慢轴的方向为沿着光学功能层的慢轴的方向。
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