公开(公告)号：CN119404110A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380051855.4

申请日：2023-03-03

Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社

Inventor： 菊地冠汰 ,  梅津英治 ,  小林俊宏

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02 ,  H10N50/10

Abstract: 本发明的一方式所涉及的磁传感器（100）具备：磁阻效应元件（10），其具有固定磁性层（11）、自由磁性层（12）、和形成于固定磁性层（11）与自由磁性层（12）之间的中间层（13），在第1方向上具有灵敏度轴；布线（20），其位于沿着磁阻效应元件（10）的层叠方向且与磁阻效应元件（10）的第1方向交叉的第2方向上，具有与磁阻效应元件（10）对置的第1面（21）；和透磁部（30），其设于布线（20）的面当中的第1面（21）以外的面的至少一部分，含有铁磁性体，配置布线（20），以使得对磁阻效应元件（10）在第1方向上施加通电时产生的感应磁场，因此，能有效率地施加配置于磁阻效应元件的近旁的布线的感应磁场。

公开(公告)号：CN116783494A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180092711.4

申请日：2021-12-06

Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社

Inventor： 梅津英治 ,  小林俊宏 ,  菊地冠汰

IPC: G01R15/20

Abstract: 本发明的电流传感器(1)具有磁阻效应元件(11)、反馈线圈(12)、磁屏蔽件(13)、设置在磁阻效应元件(11)和磁屏蔽件(13)之间的保护层(14)。反馈线圈(12)设置在磁阻效应元件(11)和保护层(14)之间，保护层(14)具有设置在磁屏蔽件(13)侧的应力缓和层(15)和设置在缓和层(15)与反馈线圈(12)之间的无机绝缘层(16)。由于通过应力缓和层(15)的应力缓和功能来缓和磁屏蔽件(13)的内部应力，通过无机绝缘层(16)来保护反馈线圈(12)，因此本发明的电流传感器(1)抑制磁屏蔽件(13)的应力对磁屏蔽件(13)的磁特性、磁阻效应元件(11)造成影响，具有稳定的特性。

公开(公告)号：CN107229022B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201710139926.2

申请日：2017-03-09

Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社

Inventor： 尾花雅之 ,  安藤秀人 ,  今井佑贵 ,  山中邦夫 ,  堀田京子 ,  宫武亨 ,  小林俊宏 ,  池田健一郎 ,  野口贵史

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的课题在于提供一种进行了结构上的改善使得具有良好的传感器灵敏度的磁传感器容易适当发挥本来的功能的磁传感器。磁传感器(10)具备：第1磁阻效应元件(21)，位于基板(15)的第1面(15A)上，并具有沿着作为第1面(15A)的面内方向之一的第1方向的灵敏度轴；定位用软磁性体(40b)，规定第1最近部位(40E1)相对于第1磁阻效应元件(21)的相对位置，并相对于第1磁阻效应元件(21)非接触地设置；和第1软磁性体(35)以及第2软磁性体(36)，沿着第1方向并排设置，分别向远离第1面(15A)的方向延伸，第1软磁性体(35)以及第2软磁性体(36)分别与定位用软磁性体(40b)磁连接。