公开(公告)号：CN1198297C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN01144901.2

申请日：2001-12-21

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 青木政博 ,  佐佐木真 ,  北川均 ,  福井洋文

IPC: H01G7/04 ,  H01G4/33 ,  H01G4/14

CPC classification number: H01G4/18

Abstract: 一种温度补偿用薄膜电容器，其中；将介电常数在4.0以下，并且线热膨胀系数在50ppm/℃以上的第1电介质薄膜5和电容温度系数的绝对值在50ppm/℃以下的第2电介质薄膜4置入一对电极之间，其中第1电介质薄膜和第2电介质薄膜中的一个电介质薄膜层叠在另一个电介质薄膜之上。能改善由于加工精度所引起的静电电容的标准偏离问题，容易实现小型化、薄型化、轻量化，能进行温度补偿。

公开(公告)号：CN1360323A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN01144901.2

申请日：2001-12-21

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 青木政博 ,  佐佐木真 ,  北川均 ,  福井洋文

IPC: H01G7/04 ,  H01G4/33 ,  H01G4/14

CPC classification number: H01G4/18

Abstract: 一种温度补偿用薄膜电容器,其特征是:将介电常数在4.0以下,并且线热膨胀系数在50ppm/℃以上的第1电介质薄膜5和电容温度系数的绝对值在50ppm/℃以下的第2电介质薄膜4置入一对电极之间。能改善由于加工精度所引起的静电电容的标准偏离问题,容易实现小型化、薄型化、轻量化,能进行温度补偿。