公开(公告)号：CN114790336B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210430460.2

申请日：2022-04-22

Applicant: 闽江学院

Inventor： 李德晶 ,  蒲德福 ,  梁茜 ,  林棋

IPC: C08L87/00 ,  C08J5/18 ,  H10K30/60 ,  H10K85/00

Abstract: 本发明公开了一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法与应用，制备方法包括：制备金属化卟啉配体；对生长基底进行功能化修饰，然后在生长基底表面交替沉积金属盐溶液和金属化卟啉配体溶液的雾滴，通过配位作用在生长基底表面生长形成卟啉MOFs薄膜。该方法能够在制备过程中精确地控制MOFs薄膜的厚度、面积和粗糙度，且制备效率高，操作简单。本发明的卟啉MOFs薄膜可以在制备光探测器中作为光电转换层，通过改变卟啉配体中心金属的种类来调控光探测器的性能，所制备的卟啉MOFs基光探测器集合了金属卟啉和MOFs结构的双重优点，为其在光探测器和其他器件领域的应用提供了广阔的前景。

公开(公告)号：CN114790336A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210430460.2

申请日：2022-04-22

Applicant: 闽江学院

Inventor： 李德晶 ,  蒲德福 ,  梁茜 ,  林棋

IPC: C08L87/00 ,  C08J5/18 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明公开了一种可调控卟啉MOFs薄膜的制备方法与应用，制备方法包括：制备金属化卟啉配体；对生长基底进行功能化修饰，然后在生长基底表面交替沉积金属盐溶液和金属化卟啉配体溶液的雾滴，通过配位作用在生长基底表面生长形成卟啉MOFs薄膜。该方法能够在制备过程中精确地控制MOFs薄膜的厚度、面积和粗糙度，且制备效率高，操作简单。本发明的卟啉MOFs薄膜可以在制备光探测器中作为光电转换层，通过改变卟啉配体中心金属的种类来调控光探测器的性能，所制备的卟啉MOFs基光探测器集合了金属卟啉和MOFs结构的双重优点，为其在光探测器和其他器件领域的应用提供了广阔的前景。