-
公开(公告)号：CN120033142A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510515388.7
申请日：2025-04-23
Applicant: 长鑫集电(北京)存储技术有限公司
Inventor： 罗玉桓
IPC: H01L21/762
Abstract: 本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底；对衬底进行蚀刻，以形成多个间隔分布的第一沟槽；形成第一填充层，第一填充层填充第一沟槽且覆盖蚀刻后的衬底的表面；对部分第一沟槽进行蚀刻，以形成多个第二沟槽，相邻的两个第二沟槽之间均具有填充了第一填充层的第一沟槽；形成第二填充层，第二填充层填充第二沟槽；对剩余的第一沟槽进行蚀刻，以形成第三沟槽，相邻的两个第三沟槽之间均具有填充了第二填充层的第二沟槽；形成第三填充层，第三填充层填充第三沟槽。本公开的形成方法可明显降低有源区发生倒塌的概率，提高产品良率。
Search Results
1
records
(took 0.024 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
