公开(公告)号：CN103459672A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280011860.4

申请日：2012-03-05

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 向喜广 ,  安江秀国 ,  吉崎了 ,  西岛佳孝

IPC: C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明目的在于提供一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法，该蚀刻液可以对铜配线横截面赋予良好的顺锥形状，而且侧蚀量少、容易形成精细图案的线路，并几乎不会对透明导电膜产生损伤，蚀刻速率稳定且易于对蚀刻废液进行再利用和回收。本发明是一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法，用于对至少具有1层铜膜和铜合金膜的金属膜的所述铜膜和铜合金膜进行蚀刻，该蚀刻液含有：二价铜离子和三家铁离子的至少1种；至少1种的卤离子；甘氨酸、2－氨基丙酸、3－氨基丙酸、氨基异丁酸、苏氨酸、二甲基甘氨酸、鸟氨酸、赖氨酸、组氨酸和丝氨酸中的至少1种氨基酸；苹果酸、柠檬酸和丙二酸中的至少1种羧酸和/或至少1种无机酸；和水。

公开(公告)号：CN107390482A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710610215.9

申请日：2017-07-25

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 向喜广

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明的课题在于提供一种抗蚀剂剥离液和抗蚀剂的剥离方法，所述抗蚀剂剥离液为用于将抗蚀剂从具备金属配线和/或金属氧化物膜的基材剥离的抗蚀剂剥离液，该抗蚀剂剥离液的剥离性优异，所剥离的抗蚀剂的再附着量少，消泡性也优异。一种抗蚀剂剥离液，其特征在于，其含有(A)胺、(B)有机溶剂和(C)重均分子量为5000～1000000的磺酸或羧酸或者它们的盐，(C)成分的含量为5.0重量％以下，不含有(D)水，或者含有(D)水且(D)成分的含量为60重量％以下。

公开(公告)号：CN107390482B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201710610215.9

申请日：2017-07-25

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 向喜广

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明的课题在于提供一种抗蚀剂剥离液和抗蚀剂的剥离方法，所述抗蚀剂剥离液为用于将抗蚀剂从具备金属配线和/或金属氧化物膜的基材剥离的抗蚀剂剥离液，该抗蚀剂剥离液的剥离性优异，所剥离的抗蚀剂的再附着量少，消泡性也优异。一种抗蚀剂剥离液，其特征在于，其含有(A)胺、(B)有机溶剂和(C)重均分子量为5000～1000000的磺酸或羧酸或者它们的盐，(C)成分的含量为5.0重量％以下，不含有(D)水，或者含有(D)水且(D)成分的含量为60重量％以下。

公开(公告)号：CN107446582A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710388257.2

申请日：2017-05-27

Applicant: 长濑化成株式会社

Inventor： 吉崎了 ,  向喜广

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C09K13/00 ,  C08K5/092 ,  C08K5/42 ,  C09K13/06 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，并且残渣除去性和消泡性也优异，适用于氧化铟系膜的蚀刻。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)聚乙烯吡咯烷酮以及(C)水，被用于氧化铟系膜的蚀刻。