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公开(公告)号：CN101786600B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010117282.5
申请日：2010-03-04
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 本发明涉及一种制备SnO2/ZnO复合多晶纳米带的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液。将SnCl4和Zn(CH3COO)2溶于DMF中，再加入PVP，即形成纺丝液。(2)制备PVP/[SnCl4+Zn(CH3COO)2]复合纳米带。静电纺丝技术参数为：电压15～20kV；固化距离13～15cm；室温20～25℃，相对湿度45％～60％。(3)制备SnO2/ZnO复合多晶纳米带。将复合纳米带进行热处理即可得到SnO2/ZnO复合多晶纳米带，宽度2～6μm，厚度240～600nm，长度大于100μm。
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公开(公告)号：CN101763917B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010117247.3
申请日：2010-03-04
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01B13/00 , H01B13/016 , H01B1/08 , B82B3/00 , D01D5/34
摘要： 本发明涉及二氧化锡@二氧化钛纳米电缆的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液。将四氯化锡和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入到N，N-二甲基甲酰胺和甘油的混合溶剂中，即形成芯层纺丝液；将PVP加入到钛酸丁酯和无水乙醇的混合液中，即形成壳层纺丝液。(2)制备(PVP+SnCl4)@[PVP+Ti(OC4H9)4]复合纳米纤维。采用同轴静电纺丝技术，电压11.5～15kV；固化距离10～15cm；室温20～25℃，相对湿度为45％～50％。(3)制备SnO2@TiO2纳米电缆。将复合纳米纤维进行热处理得到，电缆直径300-340nm，芯层直径200-220nm，壳层厚度50-60nm，电缆长度＞300μm。
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公开(公告)号：CN101786600A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010117282.5
申请日：2010-03-04
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 本发明涉及一种制备SnO2/ZnO复合多晶纳米带的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液。将SnCl4和Zn(CH3COO)2溶于DMF中，再加入PVP，即形成纺丝液。(2)制备PVP/[SnCl4+Zn(CH3COO)2]复合纳米带。静电纺丝技术参数为：电压15～20kV；固化距离13～15cm；室温20～25℃，相对湿度45％～60％。(3)制备SnO2/ZnO复合多晶纳米带。将复合纳米带进行热处理即可得到SnO2/ZnO复合多晶纳米带，宽度2～6μm，厚度240～600nm，长度大于100μm。
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公开(公告)号：CN101693518A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910217729.3
申请日：2009-10-14
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 本发明涉及二氧化铈与金纳米粒子复合纳米带的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液。采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为高分子模板剂，溶剂采用去离子水和乙醇的混和溶液(质量比为1∶1)，Ce(NO3)3与HAuCl4的含量6～10％，PVP含量10～15％，其余为混合溶剂，Ce(NO3)3与HAuCl4的摩尔比为1∶5到1∶10。(2)制备PVP/[Ce(NO3)3+HAuCl4]复合纳米带。采用静电纺丝技术，参数为：电压15～25kV，喷嘴口径为1mm，喷嘴与水平面的夹角为30°，固化距离10～20cm，相对湿度40％～55％。(3)制备CeO2/Au纳米粒子复合纳米带。采用热处理方式，参数为：升温速率1～2℃/min，在600～800℃温度范围内保温10～15h。所制备的CeO2/Au纳米粒子复合纳米带的宽度为200～400nm，厚度为50～100nm，长度大于300μm，Au纳米粒子的直径为10～30nm，均匀地分散在CeO2纳米带基体中，CeO2基体和Au纳米粒子都具有良好的晶型。
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公开(公告)号：CN101693518B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910217729.3
申请日：2009-10-14
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 本发明涉及二氧化铈与金纳米粒子复合纳米带的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液。采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为高分子模板剂，溶剂采用去离子水和乙醇的混和溶液(质量比为1∶1)，Ce(NO3)3与HAuCl4的含量6～10％，PVP含量10～15％，其余为混合溶剂，Ce(NO3)3与HAuCl4的摩尔比为1∶5到1∶10。(2)制备PVP/[Ce(NO3)3+HAuCl4]复合纳米带。采用静电纺丝技术，参数为：电压15～25kV，喷嘴口径为1mm，喷嘴与水平面的夹角为30°，固化距离10～20cm，相对湿度40％～55％。(3)制备CeO2/Au纳米粒子复合纳米带。采用热处理方式，参数为：升温速率1～2℃/min，在600～800℃温度范围内保温10～15h。所制备的CeO2/Au纳米粒子复合纳米带的宽度为200～400nm，厚度为50～100nm，长度大于300μm，Au纳米粒子的直径为10～30nm，均匀地分散在CeO2纳米带基体中，CeO2基体和Au纳米粒子都具有良好的晶型。
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公开(公告)号：CN101763917A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010117247.3
申请日：2010-03-04
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01B13/00 , H01B13/016 , H01B1/08 , B82B3/00 , D01D5/34
摘要： 本发明涉及二氧化锡@二氧化钛纳米电缆的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液。将四氯化锡和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入到N，N-二甲基甲酰胺和甘油的混合溶剂中，即形成芯层纺丝液；将PVP加入到钛酸丁酯和无水乙醇的混合液中，即形成壳层纺丝液。(2)制备(PVP+SnCl4)@[PVP+Ti(OC4H9)4]复合纳米纤维。采用同轴静电纺丝技术，电压11.5～15kV；固化距离10～15cm；室温20～25℃，相对湿度为45％～50％。(3)制备SnO2@TiO2纳米电缆。将复合纳米纤维进行热处理得到，电缆直径300-340nm，芯层直径200-220nm，壳层厚度50-60nm，电缆长度＞300μm。
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