一种二维层状MXene纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN119503806A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411488553.6

    申请日:2024-10-24

    Abstract: 本发明公开了一种二维层状MXene纳米片及其制备方法,属于MXene制备技术领域。该方法为:(1)采用氢氟酸进行MAX相粉体材料的刻蚀,得到刻蚀MAX相;(2)刻蚀MAX相经离心和干燥处理得到多层MXene粉末;(3)多层MXene粉末进行均质处理;(4)对均质处理后所得粉末进行快速退火处理,以去除MXene表面官能团,制得结构规则、缺陷少的MXene纳米片。该方法有效避免了MXene的氧化问题,实现了具有厚度均匀、稳定性、形状规则、缺陷更少的可行制备,具有替代有机试剂插层制备法成为主流制备方法的优势。

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