公开(公告)号：CN105140274B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201510496358.2

申请日：2015-08-13

Applicant: 长安大学

Inventor： 段理 ,  倪磊 ,  孙斌 ,  于晓晨 ,  樊继斌 ,  王佩 ,  韦丰 ,  张亚辉 ,  任新苗

IPC: H01L29/47 ,  B82B1/00 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法,肖特基结包括半导体部分和金属部分，所述的半导体部分为ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列，所述的金属部分为Ag；按摩尔比计，ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列中x＝0.80～0.99，y＝0.01～0.15。对ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列进行一系列组合方案处理：先在氧气氛围中热处理，再用双氧水超声清洗，再进行紫外臭氧联合处理，最后再在氧气氛围中热处理。经过上述处理后在利用磁控溅射在ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列顶部镀上Ag，形成ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列/Ag肖特基结。对比测试表明，这一系列多步骤处理方案可以有效降低ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列/Ag肖特基结的反向漏电流和材料中的深能级杂质，提高ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列/Ag肖特基结的接触特性。

公开(公告)号：CN105241571B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201510602885.7

申请日：2015-09-21

Applicant: 长安大学

Inventor： 倪磊 ,  杨甜甜 ,  任新苗 ,  段理 ,  樊继斌 ,  于晓晨 ,  田野 ,  程晓姣 ,  何凤妮

IPC: G01K7/22

Abstract: 本发明公开了N和Mo用于提高氧化石墨烯温敏特性的应用，以NO2和MoCl3作为掺杂源对氧化石墨烯进行掺杂，掺杂后的石墨烯能带结构发生了变化，对官能团的约束能力发生了改变，提高了氧化石墨烯材料的电阻‑温度特性；采用本发明的方法，能显著降低氧化石墨烯的电阻率对温度变化的非线性程度，从而可以让以对应的氧化石墨烯温度传感器获得更大的温度有效测量范围；采用本发明的方法，能显著降低氧化石墨烯在室温和低温区电阻率，从而提高了在室温和低温区的反馈电流，增加了测量精度；本发明的方法是在制备出氧化石墨烯之后再进行的后处理过程，和氧化石墨烯的具体制备流程不冲突，是一种氧化石墨烯成品的特性增强方案，因此方法的适应性很广。