公开(公告)号：CN117269279A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311320341.2

申请日：2023-10-12

Applicant: 镇江永晨科技有限公司

Inventor： 高力 ,  张瑶 ,  时海霞

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明提供了一种基于碳纳米管场效应晶体管传感器结合DNA序列高灵敏性检测汞离子的方法，包括以下步骤：S1：采用CVD法在硅片表面制备出所需的SWNTs，在硅片表面热蒸镀金电极制备SWNTFET传感器；S2：用DNA和GA对SWNTs表面功能化；S3：在DNA序列多胸腺嘧啶的中间设计4个碱基桥接连段，且在其中一端修饰氨基基团；S4：向SWNTFET传感器中加入Hg2+，一定浓度的DNA，保持一定的反应时间，控制PH，DNA探针捕捉到Hg2+后，SWNTFET传感器将DNA与Hg2+的相互作用转换为电信号，结合锁相放大器检测电流的变化情况。通过对SWNTFET传感器的条件优化包括DNA的浓度选择、反应时间和PH，确定插入四个碱基对以对发夹结构进行设计等一系列参数进行优化以提高对Hg2+的检测效果。

公开(公告)号：CN115629115A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202210882909.9

申请日：2022-07-26

Applicant: 镇江永晨科技有限公司

Inventor： 高力 ,  张瑶 ,  吕秋香

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明属于生物化学、环境检测和食品安全技术领域中Hg2+检测方法，公开基于碳纳米管材料场效应晶体管(CNT FET)生物传感器，结合锁相放大器，通过电流的变化，实现对Hg2+的检测。本发明基于利用CNTFET作为Hg2+检测的超灵敏传感器，采用凝聚剂DAN与碳纳米管sp2平面之间的π‑π相互作用堆积在CNT的侧平面上，即在CNTFET表面滴加DAN溶液，反应一段时间后，用磷酸盐缓冲溶液(PBS，pH 7.4)冲洗，在表面滴加戊二醛(GA)，通过Schiff反应结合DAN，用PBS冲洗芯片以去除多余的GA后，将DNA固定在碳纳米管表面的GA上，含有多T的DNA序列可功能性地附着在碳纳米管表面，将不同浓度Hg2+滴至碳纳米管表面，测得该CNTFET传感器特异性检测Hg2+的情况，结合锁相放大器测其电学特性。

公开(公告)号：CN117388224A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311320342.7

申请日：2023-10-12

Applicant: 镇江永晨科技有限公司

Inventor： 高力 ,  张瑶 ,  时海霞

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明提供了一种基于生物芯片固定单个硫代磷酸化切割位点DNA序列检测汞离子的方法，包括以下步骤：S1：对载玻片表面进行化学修饰，包括氨基化玻片；S2：在修饰后的玻片上固定不同浓度的修饰Cy5荧光基团以及单个硫代磷酸化RNAHg2+切割PS位点的DNA探针以制备DNA芯片，包括：在修饰后的氨基化玻片引入活化后的GDYO固定带有氨基的DNA探针以制备DNA Ⅰ‑GDYO芯片；在DNA Ⅰ‑GDYO芯片的基础上引入DNA Ⅱ‑GDYO芯片NH；S32‑PEG：通过微阵列扫描仪进行检测‑N3层制备得到表面具有N3Hg功能基团的2+的浓度。与现有的DNA芯片检测Hg2+相比，灵敏性得到显著提高，且洗脱后能够减少DNA与载玻片表面非特异性吸附，GDYO的引入能够增大模具与载玻片表面的结合力，从而减少检测误差。