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公开(公告)号：CN119049856B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411534461.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 锦浪科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三相差模磁集成电感器，涉及电感技术领域，该结构包括三个边缘差模磁柱、中心共模磁柱、第一磁轭和第二磁轭，三个边缘差模磁柱和中心共模磁柱均设置在第一磁轭和第二磁轭之间且相互平行，中心共模磁柱、第一磁轭和第二磁轭的磁导率均大于边缘差模磁柱的磁导率；其中，每个边缘差模磁柱上均绕设有差模绕组以及与差模绕组对应的三相磁通平衡绕组，三相磁通平衡绕组与对应的差模绕组的绕向相反，三个边缘差模磁柱上绕设的差模绕组的磁导率相同，且差模绕组的匝数为对应的三相磁通平衡绕组中子磁通平衡绕组的匝数的二倍或三倍。本发明能够降低电感器在非对称负载条件下的损耗，提高电感器的性能。
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公开(公告)号：CN119049855A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411534390.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 锦浪科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三相差共模磁集成电感器，涉及电感技术领域，该结构包括三个边缘差模磁柱、中心共模磁柱、第一磁轭和第二磁轭，三个边缘差模磁柱和中心共模磁柱均设置在第一磁轭和第二磁轭之间且相互平行；每个边缘差模磁柱上均设置有第一绕组，中心共模磁柱位于边缘差模磁柱之间，中心共模绕组上布置有三个第二绕组，三个第二绕组的电流分别与三相电流中的一相电流对应且方向相同，三个边缘差模磁柱上的第一绕组的绕向分别与三相电流中的一相电流的方向相同；其中，中心共模磁柱、第一磁轭和第二磁轭的磁导率均大于边缘差模磁柱的磁导率。本发明实现了差模电感和共模电感的集成，以有效降低电磁干扰抑制，优化电感器的空间结构。
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公开(公告)号：CN119049856A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411534461.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 锦浪科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三相差模磁集成电感器，涉及电感技术领域，该结构包括三个边缘差模磁柱、中心共模磁柱、第一磁轭和第二磁轭，三个边缘差模磁柱和中心共模磁柱均设置在第一磁轭和第二磁轭之间且相互平行，中心共模磁柱、第一磁轭和第二磁轭的磁导率均大于边缘差模磁柱的磁导率；其中，每个边缘差模磁柱上均绕设有差模绕组以及与差模绕组对应的三相磁通平衡绕组，三相磁通平衡绕组与对应的差模绕组的绕向相反，三个边缘差模磁柱上绕设的差模绕组的磁导率相同，且差模绕组的匝数为对应的三相磁通平衡绕组中子磁通平衡绕组的匝数的二倍或三倍。本发明能够降低电感器在非对称负载条件下的损耗，提高电感器的性能。
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